SOI材料的制备技术

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【简　介】:摘要: SOI 材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI 材料的方法及近期相关的研究成果。降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI 材料制备技术改进的目标。
关键词: SOI ; 注氧隔离; 智能剥离; 硅片键合与减薄; 外延层转移
【目　录】:
1 　蓝宝石上外延硅技术(Silicon2on2 Sapphire ,SOS)
2 　外延横向覆盖生长(Epitaxial Layer Over2Growth ,ELO)
3 　注氧隔离技术( Separation by Im2 planted Oxygen ,SIMOX)
4 　硅片键合减薄法(Bonding and Etching Back Silicon , BESOI)
5 　熔化横向生长
6 　智能剥离(SMART2CUT) 技术
7 　外延层转移技术( Epitaxial Layer Transfer , ELTRAN)
8 　结　论