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[讨论] 【求助】关于LNA仿真中的噪声匹配条件

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发表于 2006-5-15 17:22:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
[upload=jpg]UploadFile/2006-5/06515@52RD_LNA噪声匹配条件1.JPG[/upload]
如上图所示,用ADS进行LNA仿真,我只知道如何求得NFmin和Zopt for NFmin,请问如何求其它参数?
另一个问题:为什么在源级加电感就能提高电路稳定性?

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 楼主| 发表于 2006-5-15 20:54:00 | 显示全部楼层
没有人回答,自己顶一个,希望高手们能看见此帖[em14][em14][em14]
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发表于 2006-5-15 21:12:00 | 显示全部楼层
<P>在源极加电感是形成负反馈,这样可以对直流短路,所以不会影响直流特性,而会对器件的S参数产生影响</P>[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2006-5-15 23:05:00 | 显示全部楼层
<P>这问题比较复杂,我暂时没有能力回答,不过也顶一下,希望牛人指点,我们也学习学习.</P>
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 楼主| 发表于 2006-5-15 23:49:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>zyb000</I>在2006-5-15 21:12:00的发言:</B>

<P>在源极加电感是形成负反馈,这样可以对直流短路,所以不会影响直流特性,而会对器件的S参数产生影响</P></DIV>


那它(电感)是如何对器件的S参数产生影响的呢?我还是不太明白,有没有高手给个理论解释。

[em13][em13][em13]
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发表于 2006-5-16 00:15:00 | 显示全部楼层
最简单的解释就是从网络理论方面进行解释啊
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 楼主| 发表于 2006-5-16 09:27:00 | 显示全部楼层
<P>楼上的,请问你说的网络理论是指端口网络理论吗?</P><P>还有怎么没人回答第一个问题呢,比如如何在ADS中求‘对应于最小噪声参数的源反射系数’?</P>
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发表于 2006-5-16 09:33:00 | 显示全部楼层
<P>在源级加电感并非仅仅为提高电路稳定性, 不过大家既然谈到稳定性, 可以用Z参数来考虑</P><P>如果我没有写错的话, 用Z参数来表达的稳定性系数为</P><P>K=[2*Re(Z11)*Re(Z22)-Re(Z12*Z21)] / |Z12*Z21|</P><P>源级加电感Ls后新的Z参数是(用串联二端口网络模型)</P><P>Z11_n=Z11+jwLs</P><P>Z12_n=Z12+jwLs</P><P>Z21_n=Z21+jwLs</P><P>Z22_n=Z22+jwLs</P><P>然后代入上述稳定性系数K的公式中算新的K值.</P><P>今天没有时间来仔细看这个问题, 有兴趣的可以帮着算一算</P>[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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 楼主| 发表于 2006-5-16 10:12:00 | 显示全部楼层
<P>谢谢snow99兄,给我提供了计算思路,不过等您有时间的时候能不能也回答一下我的第一个问题啊?我对ADS实在是不太熟:(</P>
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发表于 2006-5-16 11:12:00 | 显示全部楼层
对于如如何在ADS中求‘对应于最小噪声参数的源反射系数’,我个人觉得用smith工具应该能实现,你可以先画出NFmin的圆图,具体怎么实现,我也没试过,你试试吧
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发表于 2006-5-17 09:06:00 | 显示全部楼层
[upload=jpg]UploadFile/2006-5/06517@52RD_atf34143_1.jpg[/upload]

用ATF34143作一下说明, 为简单起见, 采用单一频率的S参数仿真, 如上图, 电路参数可由现成的S参数控件来算, 从左边的工具栏中放进来即可.
StabFact:稳定性系数K
Zopt:最佳NF的源阻抗
GaCircle:Available Gain圆
GpCircle:Power Gain圆
S_StabCircle:源稳定性圆
L_StabCircle:负载稳定性圆
NsCircle:NF圆
SmGamma1:源和负载同时共轭匹配时的源反射系数
SmGamma2:源和负载同时共轭匹配时的负载反射系数[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

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发表于 2006-5-17 09:13:00 | 显示全部楼层
[upload=jpg]UploadFile/2006-5/06517@52RD_atf34143_2.jpg[/upload]

数据显示如上图, 注意SmGamma1, SmGamma2结果会变成无效, 如果K<1
如果S参数仿真作线性频率扫描, 以上的图会画不出来, 因为上面公式中的如GaCircle会变成两个变量的函数. 这种情况下最好在数据显示窗口中写这些参数的公式, 可参照ADS给的例子.[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

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发表于 2006-5-17 09:17:00 | 显示全部楼层
【文件名】:06517@52RD_atf34143.rar
【格 式】:rar
【大 小】:49K
【简 介】:ADS仿真文件
【目 录】:用File->UnArchive Project打开

这是上面所说的ADS文件[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

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发表于 2006-5-17 09:39:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>snow99</I>在2006-5-16 9:33:00的发言:</B>

<P>在源级加电感并非仅仅为提高电路稳定性, 不过大家既然谈到稳定性, 可以用Z参数来考虑</P>
<P>如果我没有写错的话, 用Z参数来表达的稳定性系数为</P>
<P>K=[2*Re(Z11)*Re(Z22)-Re(Z12*Z21)] / |Z12*Z21|</P>
<P>源级加电感Ls后新的Z参数是(用串联二端口网络模型)</P>
<P>Z11_n=Z11+jwLs</P>
<P>Z12_n=Z12+jwLs</P>
<P>Z21_n=Z21+jwLs</P>
<P>Z22_n=Z22+jwLs</P>
<P>然后代入上述稳定性系数K的公式中算新的K值.</P>
<P>今天没有时间来仔细看这个问题, 有兴趣的可以帮着算一算</P>

<P align=right><FONT color=red>+1 RD币</FONT></P></DIV>



今天算了一下, 对一般的二端口网络来说, 好象没有办法证明加了电感后K变大了还是变小了, 分子变大, 分母看不出来; 关键在Z12的形式, 因为放大器S12很小, 采用FET的小信号混合PI型等效电路, 如果能写出Z12的表达式, 问题就能解决; 目前这个结构只能用仿真来证明了.[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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 楼主| 发表于 2006-5-17 14:08:00 | 显示全部楼层
<P>非常感谢snow99兄,能给出如此详细的解答,版主怎么才给加1分呢?</P><P>没有激励手段,怎么能激起大家尤其是高手们的热心解答呢</P>[em13][em07]
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发表于 2006-5-17 14:22:00 | 显示全部楼层
<P>s脚加电感可以提高几个dB的线性,也提高了k值,避免自激。</P>
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发表于 2006-5-18 11:12:00 | 显示全部楼层
<P>snow99兄真是ADS高手!运用自如,羡慕,有好的资料介绍一下吧。</P><P>源极加电感讨论很热闹,看了篇文章,源极加电感最大的作用就是对Zin的影响;Zin=jw*(Lg+Ls)+1/(jw*Cgs<FONT color=#ff0000>)+(gm/Cgs)*Ls</FONT>。 --- 电感最后变成了电阻值,而又没有引入噪声,一举两得。</P><P>Ls就是源极电感,可见虽然串联的是电感,实际增加的是Zin的实部电阻,在实际系统的中的作用是提高了和50Ohm传输线的匹配(选合适的电感值),减少的是 S11的值。</P><P>Ls 不知对 LNA  S参数阵的定量影响如何,没有见到详细的描述;这个清楚了就可以分析对稳定性的影响。</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2006-5-19 03:33:00 | 显示全部楼层
<P>Zin=jw*(Lg+Ls)+1/(jw*Cgs<FONT color=#ff0000>)+(gm/Cgs)*Ls;</FONT>不知大家发现没有,<FONT color=#ff0000>Ls对Zin实部的贡献与频率无关!</FONT> </P><P>这是个非常有用的结论,意味着如果 (gm/Cgs) * Ls = 50Ohm,意味着无论LNA的输入频率如何变,Ls电感对电阻的贡献就是50Ohm不变。只是影响Zin虚部的变化,如果虚部匹配作的好,LNA的输入就没有反射损失!</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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 楼主| 发表于 2006-5-19 09:51:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>Arm720</I>在2006-5-19 3:33:00的发言:</B>

<P>Zin=jw*(Lg+Ls)+1/(jw*Cgs<FONT color=#ff0000>)+(gm/Cgs)*Ls;</FONT>不知大家发现没有,<FONT color=#ff0000>Ls对Zin实部的贡献与频率无关!</FONT> </P>
<P>这是个非常有用的结论,意味着如果 (gm/Cgs) * Ls = 50Ohm,意味着无论LNA的输入频率如何变,Ls电感对电阻的贡献就是50Ohm不变。只是影响Zin虚部的变化,如果虚部匹配作的好,LNA的输入就没有反射损失!</P></DIV>


在设计微带电感的时候,已经考虑频率的因素了吧?个人觉得,Ls并不是与频率完全无关,只是在你设计的系统的频率范围内受频率影响比较小。不知道理解的对不对,请大家指正
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发表于 2006-5-26 05:54:00 | 显示全部楼层
<P>Ph模型,我以前做过S参数仿真,结果和厂家芯片参数有差别;但是如果用Sp模型,就没有问题;Ph模型虽然不准确,但是仿真结果具有参考价值。</P><P>刚才下载Snow99 兄的文件,仿真结果有一下几点变化:</P><P>1)K随着Ls的增加而增加</P><P>2)Zopt变化很小 --- 说明Ls对GamaOPT,影响很小</P><P>3)Zin随着Ls的变大而变大 --- 说明Ls对Zin的实部有较大的贡献,主要是对减少S11有贡献</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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