超外差与零中频的比较

fanfanfirst · 发表于 2012-12-20 20:15:21

详细讲述了超外差与零中频的差别，不太清楚的可以下载看看。
【文件名】:121220@52RD_超外差与零中频的比较.doc
【格　式】:doc
【大　小】:26K
【简　介】:
【目　录】:

各有优缺点，从成本上考虑ZIF零中频较低，BOM大大地减少，而且容易集成，所以现在手持设备的芯片基本上是采用零中频的架构。超外差架构需要SAW滤波器，成本高，而且占面积，优点是可以优化得很好。零中频的问题是LO泄露，DC Offset，flicker noise噪声和IP2(AM Suppression)问题，设计难度大。

pengbo902 · 发表于 2012-12-21 09:20:51

想下载，没有RD币了！[em03]

leeyuanhan · 发表于 2013-1-26 14:57:49

4)闪烁噪声(Flicker Noise)
有源器件内的闪烁噪声又称为噪声,其大小随着频率的降低而增加,主要集中在低频段。与双极性晶体管相比,场效应晶体管的噪声要大得多。闪烁噪声对搬移到零中频的基带信号产生干扰,降低信噪比。通常零中频接收机的大部分增益放在基带级,射频前端部分的低噪放与混频器的典型增益大约为30 dB。因此有用信号经下变频后的幅度仅为几十微伏,噪声的影响十分严重。因此,零中频结构中的混频器不仅设计成有一定的增益,而且设计时应尽量减小混频器的噪声。

zhaozhaomumu · 发表于 2013-4-5 23:11:29

我买了，看看

tianzijian82 · 发表于 2013-8-16 10:42:04

超外差与零中频的比较

devil20091111 · 发表于 2014-3-27 15:34:14

没有RB了，。。。。。。。。。

lbwbwo · 发表于 2015-3-6 20:23:04

感谢楼主分享

cutedaydream · 发表于 2015-11-7 16:06:50

内容太简单了，下载不值。
各有优缺点，从成本上考虑ZIF零中频较低，BOM大大地减少，而且容易集成，所以现在手持设备的芯片基本上是采用零中频的架构。超外差架构需要SAW滤波器，成本高，而且占面积，优点是可以优化得很好。零中频的问题是LO泄露，DC Offset，flicker noise噪声和IP2(AM Suppression)问题，设计难度大。
1， LO和RF频率相同，LO的频率可以直接泄漏到入射信号端，形成很强的LO泄漏干扰
2，由于基带信号在零频附近，由于偶次失真项引起的干扰开始影响接收机的性能，如偶次项失真产生的DC部分会影响电路的直流工作点，形成DC offset，另外一个偶次项失真就是IP2
3，基带附近的Flicker Noise替代了原来的高斯白噪声，形成基底噪声，影响接收机的信躁比
4，直接在RF进行IQ分离，会出现IQ通路很难匹配；
5，基带滤波器通常采用有源滤波器实现，在IC Layout中占很大面积，而且Noise Figure很大

yangjy306 · 发表于 2016-1-6 22:39:25

楼主威武，呵呵，正需要

NPointerNFree · 发表于 2017-2-14 08:54:04

力薦[em05

quany1991 · 发表于 2017-2-14 11:29:06

内容还行吧，谢谢楼主

Zerolu · 发表于 2017-2-23 16:19:12

cutedaydream 发表于 2015-11-7 16:06
内容太简单了，下载不值。
各有优缺点，从成本上考虑ZIF零中频较低，BOM大大地减少，而且容易集成，所以现 ...

感谢无私分享

anyQQ · 发表于 2017-5-27 10:39:00

内容太简单了，下载不值。

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