系统分析IGBT模块的驱动原理是什么

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系统分析IGBT模块的驱动原理是什么
　　IGBT是电压型控制器件，为了能使IGBT模块安全可靠地开通和关断.其驱动电路必须满足以下的条件：
　　IGBT模块的栅电容比VMOSFET大得多，所以要提高其开关速度，就要有合适的门极正反向偏置电压和门极串联电阻。
　　任何情况下，开通状态的栅极驱动电压都不能超过参数表http://igbt.p-e-china.com/给出的限定值(一般为20v)，最佳门极正向偏置电压为15v土10%。这个值足够令IGBT饱和导通;使导通损耗减至最小。虽然门极电压为零就可使IGBT处于截止状态，但是为了减小关断时间，提高IGBT的耐压、dv/dt耐量和抗干扰能力，一般在使IGBT处于阻断状态时.可在门极与源极之间加一个-5~-15v的反向电压。
　　选择合适的门极串联电阻Rg对IGBT的驱动相当重要，Rg对开关损耗的影响见图1。
　　IGBT的输入阻抗高压达109~1011，静态时不需要直流电流.只需要对输入电容进行充放电的动态电流。其直流增益可达108~109，几乎不消耗功率。为了改善控制脉冲的前后沿陡度和防止振荡，减少IGBT集电极大的电压尖脉冲，需在栅极串联电阻Rg，当Rg增大时，会使IGBT的通断时间延长，能耗增加;而减少RF又会使di/dt增高，  http://www.p-e-china.com   可能损坏IGBT。因此应根据IGBT电流容量和电压额定值及开关频率的不同，选择合适的Rg，一般选心值为几十欧姆至几百欧姆。具体选择Rg时.要参考器件的使用手册。
　　绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT模块)是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点.是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作状态直接影响整机的性能，所以合理的驱动电路对整机显得很重要，但是如果控制不当，它很容易损坏，其中一种就是发生过流而使IGBT损坏，本文主要研究了IGBT的驱动和短路保护问题，就其工作原理进行分析，设计出具有过流保护功能的驱动电路，并进行了仿真研究。
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