4-8GHz低噪声小信号放大器的研制

psf135

本文中设计的c波段低噪声放大器是在国内先进的薄膜混合集成电路制作
工艺基础上，采用光洁度高，导热率好，机械度强的氧化铝精细陶瓷基片，利用
西科公司共晶微组装工艺和先进的粘接技术研制而成的。
本课题采用宽带平衡式电路，选用日本富士通公司低噪声高电子迁移率的管
芯FHX45X，利用小信号模型s参量法，自行设计了3dB耦合电桥，独立进行
电路的输入输出匹配，使放大器工作在低噪声高增益区；并通过Agilent的ADS
仿真软件，得到原理仿真结果；利用AutoCAD软件进行电路板的布局工作；采
用带脊载体，对电路实行输入模块和输出模块分开设计电路图的方法，便于组装
并保证共晶工艺流程的顺利进行。
设计出的放大单片和级联单片后的放大器是在HP系列的测试仪器上完成
的。主要利用的仪器有：HP8757D标网，以及HPE8247C信号源、8259L频谱
仪和8970B噪声仪。
本课题设计的4GHz--8GHz低噪声放大器主要的测试条件为外加12V直流
电源，通过自行装在放大器内部的稳压模块转换到2V，电流为190mA：得到的
测试指标如下：
噪声系数最大为2．18dB；满足要求小于2．2dB的指标；
增益最高为38．75dB，最小为34．65dB；满足指标要求的增益为32dB～39dB；
增益平坦度为±2．05dB；基本满足平坦度小于等于4dB的指标要求；
输入输出驻波比小于1．86；满足小于2的指标要求；
输出ldB压缩点功率最小为10．8dBm。满足指标要大于10dBm的要求。
本课题的设计尽管存在某些缺点，但是，基本上仍可以说是完成了事先的研
制任务。
本文涉及的是西科公司的某预研项目，此项目是由本人独立承担并研制完成
的。
【文件名】:12921@52RD_4-8GHz低噪声小信号放大器的研制.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:2236K
【简　介】:
【目　录】:

Figger98

thank a lot