晶振原理

whyking

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alpha_xjtu

<P>怎么都要收费。</P>[em09]

newboy123

<P>这种东西就不要收费了吧</P>

skytime1982

为什么都要钱，这个世界亚

RD52

<P>fyi,1rd is needed.</P>

wangbecktao

没RD币~~~~~~~~!

leiy2k

这都要收费[em07]

rafale

何必呢？哪有那么多的钱啊

youmi

这种东西就不要收费了吧

987654321

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huashan11

感谢!~

polarislyk

you qian z m shuo mei qian

john019

一、晶体振荡器类型：
1、普通晶体振荡器 Packaged Crystal Oscillator（PXO） 最简单和最适用的、其基本控制元件为晶体
元件的振荡器。由于不采用温度控制和温度补偿方式，它的频率－温度特性主要由所采用的晶体元件来确
定。
2、电压控制晶体振荡器 Voltage Controlled Crystal Oscillator（VCXO） 用外加控制电压偏置或调制
其频率输出的晶体振荡器。VCXO 的频率－温度特性类似于PXO，主要由所采用的晶体元件来确定。
3、温度补偿晶体振荡器Temperature Compensated Crystal Oscillator（TCXO） 包括数字补偿晶体
振荡器（DCXO Digitally Compensated Crystal Oscillator）和微机补偿晶体振荡器（MCXO
Microcomputer Compensated Crystal Oscillator）。器件内部采用模拟补偿网络或数字补偿方式、利用
晶体负载电抗随温度的变化而补偿晶体元件的频率－温度特性，以达到减少其频率－温度偏移的晶体振荡
器。
4、恒温控制晶体振荡器 Oven Controlled Crystal Oscillator（OCXO） 至少是将晶体元件置于隔热罩
里（如恒温槽）控制其温度，以使晶体温度基本维持不变的晶体振荡器。
5、电压控制－温补晶体振荡器（VCTCXO） 温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。
6、电压控制－恒温晶体振荡器（VCOCXO） 恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。
二、晶体振荡器主要参数
1、工作温度范围 技术条件中规定的一种环境温度范围，在该温度范围内晶体振荡器性能应满足技术要求。
2、基准温度 测量晶体振荡器电参数所指定的环境温度，通常规定为＋25℃±2℃。
3、标称频率 技术条件所指定的频率，通常也就是晶体振荡器铭牌上标志的频率。系指晶体振荡器输出
频率的名义值。
4、频率允许偏差
4.1、频率准确度（初始频率－温度精度） 在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度以及其他条件下
晶体振荡器稳定输出频率相对于标称频率的最大频偏。对于非频率可调（制造厂校准）振荡器，初始频率
－温度精度在制造时和发货后的规定时间内适用。对于频率可调（制造厂和用户校准）振荡器，初始频率
－温度精度经制造厂或用户校准后就适用。
4.2、频率温度稳定度 在标称电源和标称负载条件、其他条件不变的情况下，工作在规定温度范围内的
不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。
fT＝±（fmax－fmin）/（fmax＋fmin）
fTref＝±MAX〔|（fmax－fref）/ fref|，|（fmin－fref）/ fref|
fT：频率温度稳定度（不带隐含基准温度）
fTref：频率温度稳定度（带隐含基准温度）
fmax：规定温度范围内测得的最高频率
fmin：规定温度范围内测得的最低频率
fref：规定基准温度测得的频率
采用fTref 指标的晶体振荡器性能优于采用fT 指标的晶体振荡器
4.3、电压频差 在其他条件均保持不变的情况下，由于电源电压在规定范围内（±5%）变化，振荡器与
规定标称电源电压下的频率的最大允许频偏。
4.4、负载频差 在其他条件均保持不变的情况下，由于负载阻抗在规定范围内（±5%）变化，振荡器与
规定标称负载阻抗下的频率的最大允许频偏。
晶体振荡器概述
BOWEI 微波技术
●电话:+86-311-87091891 87091887 ● 传真:+86-311-87091282 ● http://www.cn-bowei.com ●电邮:cjian @cn-bowei.com
2
4.5、老化频差 在其他条件均保持不变的情况下，晶体振荡器经规定稳定时间后，在规定时间范围内输出
频率相当于初始频率的允许频偏。
5、频率调节范围 不拆卸晶体振荡器而通过某可变元件改变输出频率的范围。频率调节的作用是：（1）将
输出频率调到该频率调节范围内的某一预定值；（2）由于老化或其他原因，晶体振荡器输出频率产生偏
移时，用其将输出频率调到规定值。频率调节方式有内置电阻、外置电阻和外接电压。
ts
输出频率
时间
长期稳定频率
频率允许偏差
6、频率稳定时间 晶体振荡器接通电源后，输出频
率达到规定频率偏差所需要的时间（ts）。
7、开机特性 晶体振荡器接通电源后，一段时间内
输出频率～时间变化曲线来描述的频率时间特性。规
定相对于开机1 小时后的频率。
8、频率重现性 在规定使用温度（25±2℃）下，以
稳定条件工作的振荡器关机后保持在规定的使用温
度（25±2℃）下一段规定的时间（24 小时），然后
开机，工作规定时间内其输出频率与振荡器关机前的
稳定频率之差。 图1、典型振荡器稳定特性
9、频率老化率（长期稳定度） 在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。
这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路的其他元器件缓慢变化造成的，可用规定时限后的最大变化
率（如1x10－10/天，30 天后），或规定的时限内最大的总频率变化（如1x10－8/月），或两者来表示。TCXO
通常采用年老化率。
10、短期频率稳定度 是晶体振荡器输出频率相对其平均值随机起伏特性的量度。它已排除了系统性的变
化。短期频率稳定度有时域和频域两种表征。
10.1、相位噪声 短期频率稳定度的频域量度，用单边带噪声与载波噪声之比￡（f）表示，￡（f）与噪声
起伏的频谱密度SΦ（f）和频率起伏的频谱密度Sy（f）直接相关。
10.2、阿仑方差 振荡器短期频率稳定度的时域优选定义如下：
2
1
1
1
) (
) 1 ( 2
1 ) ( k k
M
k
y y y
M
r r &#8722;
&#8722;
= +
&#8722;
&#8722; ∑τ
σ
式中： ) ( 1 k k y y r r &#8722; + 为各测量之间无间歇时间而顺序观察到的第k 个瞬时频率的平均相对频率起伏；τ是
每测量M 次的平均采样时间；k 是频率采样序号； ) ( τ σy 是阿仑方根值。
11、加速度敏感度 由单幅值和方向表征的晶体振荡器频率～加速度关系的一种矢量特性。晶体振荡器加速
度敏感度是加速度敏感度矢量的幅值，并用每单位加速度的频率变化表示（如1x10－9/g）。
12、谐波失真 一种与有用信号频率有谐波关系的频谱分量表示的非线性失真。通常用每个谐波分量相对于
有用信号输出功率比（单位：dB）表示。
13、杂波抑制 振荡器输出信号中与有用信号频率无谐波关系的离散频谱分量与有用信号输出功率比（单位：
dB）。
晶体振荡器概述
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3
14、脉冲时间参数
14.1、上升时间 在两个规定的电压电平（电平“1”的10%～90%）之间测量方波脉冲的前沿时，观察到的
电平“0”至电平“1”的转换时间。
占空因数（％T)
T
上升时间下降时间
电平0
10％
50％
90％ 电平1
14.2、下降时间 在两个规定的电压电平（电
平“1”的90%～10%）之间测量方波脉冲的前
沿时，观察到的电平“1”至电平“0”的转换
时间。
14.3、占空因数(占空比) 高于规定基准电平
（电平“1”的50%）的时间相对该波形周期的
百分数。
15、调频（压控）特性
15.1、调频(压控)频偏 压控晶体振荡器外加控
制电压由规定最大值变化到最小值时输出频
率之差。 图 2 方波输出波形
控制电压
输出频率
δF
ΔF
B
C
D A
15.2、调频（压控）灵敏度 压控晶体振荡器变
化单位外加控制电压所引起的频率的变化量。
15.3、调频（压控）线性度 与理想（直线）函
数相比的输出频率～输入控制电压传输特性的
一种量度。通常是以百分数表示在规定的范围内
频偏的可容许非线性度。
A 线――理想的直线
B 线――实际的压控特性曲线
C、D 线――偏离极限（均平行于A 线） 图 3 压控特性曲线
频率压控线性度＝ % 100 ×
&#8710;F
F δ
参考文献：○1 GJB 1648-93 晶体振荡器总规范
○2
SJ 1852-81 晶体振荡器名词术语
○3 SJ/T 10638-1995 石英晶体振荡器测试方法
三、质量保证
我所已通过ISO9000－2000 质量体系认证，具有完善的质量管理体系。所有进所的材料、器件均经过
严格的质量检验，生产过程有完善的质量控制手段。
所有出所的产品均经过如下条件的筛选：
1)、稳定性烘烤：125℃ 168 小时
2)、高温老化： 85℃ 168 小时
3)、温度循环： -55～125℃ 循环10 次
4)、随机振动： GJB360A 方法214-I-D （必要时）
5)、密封： GJB548A 方法1014A （适合时）
晶体振荡器概述
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四、测试原理图
HCMOS
A
V
+Vdc
振荡器
GND
RFout Vdc
0.1uF 15PF*
示波器频率计
高阻探针
* 包括夹具及
测试仪器电容
TTL
A
V
+Vdc
振荡器
GND
RFout Vdc
0.1uF 15PF*
D1
D2
D3
D4
R
频率计示波器
高阻探针
* 包括夹具及
测试仪器电容
注：1）D1~D4 为1N4148
或相近器件。
2)6TTL 负载，R=430Ω
16TTL 负载，R=270Ω
Clipped Sine
A
V
+Vdc
振荡器
GND
RFout Vdc
0.1uF
频率计
10PF*
示波器
高阻探针
10KΩ
* 包括夹具及
测试仪器电容

dij

没用~~~[em04]

rex_liu

咋还要钱呢? 咳，想学习都困难啊，
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ny2001983

好东西,到处都找不到

keleve

还是好人多啊~ good guys~

jingying85

谢谢楼主免费提供。

sujinchao

感谢 共享的人们~~~[em01]

sun_bp

到处找的资料，终于找到了