SMIC CMOS工艺的几个参数？？？

jiankefeng

在看一篇学位论文，关于CMOS LNA的设计，文章使用了几个参数，不知是哪里来的，自己查看了几份官方文档，都没发现，请问大家“这些参数的值，在哪里可以找到？”

MOS管参数：
单位栅氧化层电容（gate oxide capacitance per unit area）：Cox=9mF/(m^2)；
体效应参数（body effect parameter）：r=3；
×××（one measure of the departure from the long-channel regime）：a=0.5；
NMOS载流子有效迁移率（NMOS charge- carrier effective mobility）：un= 3.4*10^(-2) (m^2)/(VS)；
SMIC0.18um RFCMOS工艺提供的NMOS晶体管的宽度最小为：60um。

使用元件参数（这能精确到小数点后几位的数是怎么取到的啊？）：
（如，原文：“工艺库可选择的实际可行的电感值并不是连续的，在计算时，首先选定Lg2为16.301nH，然后计算Lg1和Cg1的值” - 为计算不定方程组） ~k'SP(6#C   
Lg2=16.301nH；
C3=C4=0.62pF；
L3=10.55nH。

jiankefeng

了解的同学 帮忙回复一下啊 谢谢 等待...

linjianjie

谢谢楼主分享

jiankefeng

再顶一次 再顶一次

andyjackcao

以下是引用jiankefeng在2012-3-27 3:56:21的发言：
在看一篇学位论文，关于CMOS LNA的设计，文章使用了几个参数，不知是哪里来的，自己查看了几份官方文档，都没发现，请问大家“这些参数的值，在哪里可以找到？”

MOS管参数：
单位栅氧化层电容（gate oxide capacitance per unit area）：Cox=9mF/(m^2)；
体效应参数（body effect parameter）：r=3；
×××（one measure of the departure from the long-channel regime）：a=0.5；
NMOS载流子有效迁移率（NMOS charge- carrier effective mobility）：un= 3.4*10^(-2) (m^2)/(VS)；
SMIC0.18um RFCMOS工艺提供的NMOS晶体管的宽度最小为：60um。

使用元件参数（这能精确到小数点后几位的数是怎么取到的啊？）：
（如，原文：“工艺库可选择的实际可行的电感值并不是连续的，在计算时，首先选定Lg2为16.301nH，然后计算Lg1和Cg1的值” - 为计算不定方程组） ~k'SP(6#C                 
Lg2=16.301nH；
C3=C4=0.62pF；
L3=10.55nH。

关于参数的含义，可以再《模拟CMOS集成电路设计-拉扎维》或者《模拟CMOS集成电路设计-格雷》可以找到啊