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[讨论] tranciver和天线开关之间走一段很长的传输线,PCB设计时有什么讲究吗?

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发表于 2012-2-18 11:51:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题,那位大侠做过这类的项目?指导下。
发表于 2016-1-29 15:32:15 | 显示全部楼层
answerxin3 发表于 2013-8-29 01:01
求指导:
同样长度,很长的RF线,PA到RFCONN
同是50ohm的线,控制的粗好,还是细好?


同样长度,很长的RF线,PA到RFCONN
同是50ohm的线,控制的粗好,还是细好?
走表层好,还是内层好?
走表层会有天线效应吗?如1/4波长?
MATCH电路放到PA端好,还是放到RF CONN端好?



1.你都说很长了  Loss都已经大了
   当然是控制的粗好  否则Loss会更大
   再者   线一长   阻抗就容易偏
   你线宽加粗  阻抗偏移程度会小一点


2.当然是内层  PA output能量大
  你走表层  又走长  会容易有辐射杂散跟EVM劣化的风险


3.任何金属  没接地就是个辐射体  
包含RF走线  更何况是PA output能量这么大的走线
肯定会有天线效应  所以才建议你走内层  避免辐射杂散
如果线很短   就不用这样顾虑了  走表层即可
只要走线两旁的GND Via打多一点即可


4.如果PA Output真的很长   那就是PA端跟RF CONN端
都要各放一组Matching  如下图





一开始出来就要先放一组Matching 1
确保PA输出调到50奥姆  
而Long Trace导致的阻抗偏离  最后再靠Matching 2调回来
当然  Long Trace导致的阻抗偏离  以及其寄生电感电容
Matching 2不见得能调回来   但能救多少是多少
如果嫌两组pi型组件太多   至少也要两个L型
当然  走线最好还是不要太长

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发表于 2013-6-19 18:25:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 criterion 于 2013-8-30 22:37 编辑
<B>以下是引用<i>fengjingui</i>在2012-9-11 11:05:45的发言:</B>
抗干扰就可以了



前面几位大侠都说了  三个重点
阻抗  保护   线宽
另外
如果真的这段Trace   就是要这么长
那在长度不变情况下   尽可能缩短PA到ASM的距离
如下图



原因有二 :  Insertion Loss跟干扰

首先  PA的input level  多半范围很大
以GSM为例   通常0 dBm~ 6 dBm  都可以接受
所以   PA input的Trace长一点   Insertion Loss大一点
都还没太大影响  换句话说   基本上
0 dBm跟6 dBm的PA input
对于PA的线性度  以及最大饱和功率  是没啥区别的
反正作Calibration时   自然会补偿回来



但是   PA output的Insertion Loss   是补偿不回来的
PA output的Insertion Loss多1 dB  最大饱和功率  就是硬生生被扣掉 1 dB
差一点情况   就是GSM Low band的Target power要32.5 dBm
但最大饱和功率   只有33 dBm  只Back-off了0.5 dB
PA线性度不佳   Performance可能会劣化
更糟一点   就是最大饱和功率   只有32 dBm  连Target Power都达不到
那这只能改Layout了   没其他解法


再来   若是高通的零中频架构
即RF讯号频率跟VCO频率一样
那可能会产生VCO pulling
  






亦即PA output的输出反射  会透过其他Trace或Shielding Cover
去打到VCO  造成调变精确度下降
很可能会有Frequency/Phase error, ORFS due to Modulation的issue
PA output的Trace越长  这种风险就越大




有人会问   那PA input的频率   一样等同于VCO频率啊
你PA input的Trace越长   难道就没这风险 ?
是没错   但问题是
PA input的能量  远小于PA output的能量
以杀伤力来讲   当然是PA output造成VCO pulling的杀伤力
会大于PA input
理想上我当然希望PA input跟PA output  Trace都越短越好
但今天是两害相权取其轻
当然先顾好PA output啰

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发表于 2012-2-27 17:14:00 | 显示全部楼层
还要做好保护,保证一定线宽,否则线损会比较大。
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发表于 2012-2-27 17:11:13 | 显示全部楼层
阻抗控制好,
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发表于 2012-2-25 19:25:26 | 显示全部楼层
你这个题目比较大,答案也就比较宽泛:控制好阻抗就行~[em01]
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发表于 2012-5-9 22:29:08 | 显示全部楼层
控制好阻抗。做好保护。
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发表于 2012-5-7 21:09:01 | 显示全部楼层
确实,即使做好阻抗,实际线损还是很大   同求答案
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发表于 2012-5-7 19:08:25 | 显示全部楼层
这走线就不合规范
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 楼主| 发表于 2012-5-7 13:44:00 | 显示全部楼层
理论上说控制好阻抗就行了,但是实际出来的效果并不好!
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发表于 2012-6-6 16:44:39 | 显示全部楼层
我想LZ问的是为啥走那么长的线?
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发表于 2012-9-11 11:05:45 | 显示全部楼层
抗干扰就可以了
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发表于 2013-6-20 09:52:38 | 显示全部楼层
PA和ASM离多近才算好?中间刚好放下高低频的两组匹配网络?
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发表于 2013-6-19 20:54:44 | 显示全部楼层
11楼是高手!
此外,我觉得PA离ASM近还有一个好处:效率更高。同样的衰减1dB,在PA输入端衰减和输出端衰减,损失的能量不一样。
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发表于 2013-8-29 01:01:26 | 显示全部楼层
criterion 发表于 2013-6-19 18:25
前面几位大侠都说了  三个重点
阻抗  保护   线宽
另外

求指导:
同样长度,很长的RF线,PA到RFCONN
同是50ohm的线,控制的粗好,还是细好?
走表层好,还是内层好?
走表层会有天线效应吗?如1/4波长?
MATCH电路放到PA端好,还是放到RF CONN端好?
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发表于 2013-8-29 23:54:03 | 显示全部楼层
answerxin3 发表于 2013-8-29 01:01
求指导:
同样长度,很长的RF线,PA到RFCONN
同是50ohm的线,控制的粗好,还是细好?

个人经验:
粗,表层(减少过孔),match circuit靠近PA端
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发表于 2013-8-30 18:29:20 | 显示全部楼层
学习了!就是没有配图解释啊 要是能够配图就好了
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发表于 2013-8-30 22:41:15 | 显示全部楼层
149951352 发表于 2013-8-30 18:29
学习了!就是没有配图解释啊 要是能够配图就好了

不好意思

因为之前52RD改版时

可能之前的文章  图片都消失了

小弟现在重新把图片上传

希望有助于大家讨论与理解

谢谢
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发表于 2015-1-7 11:53:11 | 显示全部楼层
谢谢整理,分享
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发表于 2015-1-12 13:22:49 | 显示全部楼层
感谢criterion的回复,顶一个
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发表于 2015-1-12 18:08:57 | 显示全部楼层
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