打破平面IC設計舊思維 TSV引領3D IC新浪潮

Tiborlee

不同於過去晶片設計的二維思考模式，矽穿孔(TSV)技術係採三維(3D)堆疊方式進行開發，可縮短每層晶片間的內部連結路徑，提升訊號傳遞速度，並降低雜訊與功耗；同時，也可實現更多異質功能整合，滿足未來行動裝置輕薄且多功能的嚴苛要求。積體電路(IC)在1958年由德州儀器(TI)的Jack Kilby發明以來，技術與效能飛躍進步。1990年代，半導體產業開始掀起系統單晶片(System-on-chip, SoC)技術熱潮，藉由在單一晶片上整合邏輯、記憶體、運算與其他功能的電路，提供具備系統層級整合(System-Level Integration, SLI)概念的晶片解決方案，以減少系統中晶片使用的數目，成為當今IC設計概念的主流技術。

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