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[讨论] MOS开关管损失

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发表于 2011-12-1 16:39:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
3,MOS开关管损失

      不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。

      MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。

      导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
发表于 2011-12-8 11:45:35 | 显示全部楼层
楼主讲课嘛
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 楼主| 发表于 2011-12-1 16:42:08 | 显示全部楼层
MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。
MOS两端的电压有一个下降的过程,这是导通时候的变化吗?
MOS两端的电流有一个上升的过程,这是载止时候的变化吗?
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