doherty功放烧管子问题请教

jjmbyd · 发表于 2011-11-25 15:33:04

功放模块单独测试时无烧管现象（末级采用doherty功放），但在整机中与DPD联调时会出现烧管现象，而且烧PEAK管的情况更多。请教各位高手：为什么会烧管，而且一般烧的都是PEAK管？[em13]

zhh0816 · 发表于 2011-11-25 23:16:38

我的临时解决办法是，先开DPD等稳定后在开功放，关电的时候千万不要先关DPD，非常容易烧，我就搞错一次，就烧了。建议把功放里加个声表，那些杂散可以少点，必要把DPD的上电顺序搞搞[br]+1 RD币

zhh0816 · 发表于 2011-11-25 23:11:21

我在先关DPD电源时候，PEAK管就一声爆，打开一看就揭盖了，我看楼主可能也是一样吧[br]+1 RD币

zhh0816 · 发表于 2011-11-25 23:08:43

我在先DPD电源时候，PEAK管就挂了
[br]+1 RD币

zhh0816 · 发表于 2011-11-25 23:06:55

DPP芯片在开关电有很大的杂散，把功放烧了，我遇见过。[br]+1 RD币

icemood1984 · 发表于 2011-11-25 23:00:42

DPD连调时如果没配合好是会烧管子。这个可能要功放工程师跟DPD工程师一起研究下。不一定单纯是功放的问题。
例如突然出个PAR很大的信号，远超过doherty的peakpower，烧管也就正常了。
有烧管经验的出来讲解下，还没碰到烧管的，经验值不够。。。。[br]+1 RD币

jjmbyd · 发表于 2011-12-8 09:06:00

还请高手予以解答啊。。

zhh0816 · 发表于 2011-11-28 15:56:49

avr-arale
怎么称呼?天天打螺钉,生产.

avr-arale · 发表于 2011-11-28 14:15:36

以下是引用zhh0816在2011-11-25 23:16:38的发言：
我的临时解决办法是，先开DPD等稳定后在开功放，关电的时候千万不要先关DPD，非常容易烧，我就搞错一次，就烧了。建议把功放里加个声表，那些杂散可以少点，必要把DPD的上电顺序搞搞

老兄，最近混得怎么样了

tlcfybj · 发表于 2011-11-27 21:47:29

请问下是哪家的管子？有些管子的输入导通电平只有-0.5V，用作peak风险大些。

suolong2004 · 发表于 2011-12-19 16:20:49

坐等高手，望不吝赐教！！！

jjmbyd · 发表于 2011-12-19 16:17:53

以下是引用zltogo在2011-12-18 14:46:06的发言：
。

纯粹胡说八道，跟这个-0.5V一点关系都没有。。-0.5V的管子被用作peak已经上千万片的量都不止了。就算你加上一个直流的Vgs=-2V，管子就坏了吗，你去试试吧，不会坏的。唉，懒得解释。至于为什么peak更容易坏，改天有时间再说了。要搞清楚LDMOS失效机理。多想想，多学习，从ldmos内部结构找原因！

请高手有空时解释下ＬＤＭＯＳ的失效机理，或者是否可提供相关资料供好好学习一下。

jjmbyd · 发表于 2011-12-19 16:14:52

请高手解析一下LDMOS的失效机理，或者提供相关的资料供好好学习一下。。

xiaoxiao818 · 发表于 2011-12-19 10:23:32

以下是引用zltogo在2011-12-18 14:46:06的发言：
。

纯粹胡说八道，跟这个-0.5V一点关系都没有。。-0.5V的管子被用作peak已经上千万片的量都不止了。就算你加上一个直流的Vgs=-2V，管子就坏了吗，你去试试吧，不会坏的。唉，懒得解释。至于为什么peak更容易坏，改天有时间再说了。要搞清楚LDMOS失效机理。多想想，多学习，从ldmos内部结构找原因！

人家说的-0.5V是说peaking导通电压，有没说击穿电压。-2V当然不会坏了，加-10V和+10V，你看那种情况容易坏？
搬个凳子坐等高手解释为什么烧peaking的原因。

liu3529353 · 发表于 2011-12-19 10:10:18

顶一下学习啦

qcb99 · 发表于 2011-12-18 19:11:50

以下是引用zltogo在2011-12-18 14:46:06的发言：
。

纯粹胡说八道，跟这个-0.5V一点关系都没有。。-0.5V的管子被用作peak已经上千万片的量都不止了。就算你加上一个直流的Vgs=-2V，管子就坏了吗，你去试试吧，不会坏的。唉，懒得解释。至于为什么peak更容易坏，改天有时间再说了。要搞清楚LDMOS失效机理。多想想，多学习，从ldmos内部结构找原因！

请高手解析一下

zltogo · 发表于 2011-12-18 14:46:06

以下是引用tlcfybj在2011-11-27 21:47:29的发言：
请问下是哪家的管子？有些管子的输入导通电平只有-0.5V，用作peak风险大些。

纯粹胡说八道，跟这个-0.5V一点关系都没有。。-0.5V的管子被用作peak已经上千万片的量都不止了。就算你加上一个直流的Vgs=-2V，管子就坏了吗，你去试试吧，不会坏的。唉，懒得解释。至于为什么peak更容易坏，改天有时间再说了。要搞清楚LDMOS失效机理。多想想，多学习，从ldmos内部结构找原因！

xiaoxiao818 · 发表于 2011-12-16 17:33:34

我遇到也一般是大多烧peaking
为什么老烧peak，一直是大家争论的焦点的了，我也没完全把握，一下我我个人一些看法吧：
1.关于包络信号进入doherty，功率分配的问题。我说不清楚是怎么分配的，但是peaking管是有选择性的，peak对低功率基本不开启，功率越大开启越开放。简单来说，ｐｅａｋｉｎｇ管不见得有主管饥渴，但是关键是ｐｅａｋｉｎｇ只玩大功率。
2.Peaking管一般偏置在class B一下，非线性很强烈，其电压摆幅理论上可以大于2倍VDD（例如ClassF，最大功率可以到3.2倍VDD）。我觉得在某些情况下class C到达2倍VDD电压摆幅的几率要远大于classＡＢ（主功放）。这也可以解释为什么高漏极电压（比如３２Ｖ）供电更容易挂管子。对于现在常用的通信用ＬＤＭＯＳ管，主流的几家ＦＳＬ，ＮＸＰ，英飞凌。仔细看下起击穿电压，漏极一般在６５－７５Ｖ之间，对大电压摆幅还是有点虚的。
３.也是器件原因吧，现在ＬＤＭＯＳ的ｇａｔｅ抗负压击穿能力比抗正压击穿能力要差很多，从ｄａｔａｓｈｅｅｔ都可以看出来。ｐｅａｋｉｎｇ管偏置较低，如果有较大驻波叠加较大幅度的拉升ｇａｔｅ电压峰峰值的话，偏置越深自然越容易挂了。
个人理解，仅供参考。

suolong2004 · 发表于 2011-12-16 15:34:00

请问楼上你遇到的这种情况也是主要烧功放的peak路吗？能不能从原理上解释一下为什么peak更容易烧？

xiaoxiao818 · 发表于 2011-12-14 15:36:25

我遇到的这种情况百分之七十是DPD导致的
DPD原因：
你可以把DPD输出信号接到频谱仪上，频谱仪扫描时间设置尽量短，然后MAXhold，然后做DPD启动，复位，自校准，频率切换，功率大跨度切换等动作。如果频谱上出现大功率宽频谱信号，（大功率指能把你PA直接推直压缩的信号幅度）。相比之下，宽带信号更恐怖，因为宽带信号峰均比巨高，而且目前的管子视频带宽一般上不了100MHz以上，如果有宽带信号150MHz-200+Mhz以上信号，中等功率水平就足以挂掉你peaking管。
假如是这个原因的话，就必须搞DPD了，PA做过功率保护，过压过流保护什么的都是浮云。
PA原因：
检查下你的反馈链路的信号有没有杂散干扰；
看下PA的温度稳定性如何，要是增益温漂高低温有正负4dB以上的话，建议做点温度补偿，或者等系统热稳定以后再跑DPD。因为现在DPD很多会自动做功率校准，功率飘得太多有些DPD会跑飞了，也会烧管子。
还有你保证你单板测试的情况和DPD测试的测试环境是一样的吗？比如加不加盖，推动级连接方式，电源处理方式。。。。。要是不一样的话，就当我白说吧[br]+3 RD币

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