MOS切电电路请教

xihuren · 发表于 2011-11-17 15:28:15

　　这个电路的PMOS上电容易烧坏，请帮忙看看是什么原因？测量切换时的电流没有超过MOS管得额定值。
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rejoy123 · 发表于 2011-11-21 10:28:16

是电路参数选择取不合理，应该把R1增大，R3减小

pranoken · 发表于 2011-11-19 17:14:52

感觉还是Pmos管选型没有选好。不过3V转换能用N就别用P了。

hagelee · 发表于 2011-11-18 12:34:16

个人认为：采用NMOS或者PMOS主要是根据控制端提供的电压来决定。NMOS管使用时，VGS正电压导通，VGS越大，导通的内阻就越小（当然不能超过额定），常用在用高压控制低压开关的情况；而PMOS管使用时，VGS是负电压导通，常用在低压控制高压导通的情况。

xihuren · 发表于 2011-11-18 11:28:07

问题查清了，现象我描述的不清楚，不好意思。实际情况是Q2 D端在MOS导通情况下有时会降到3V以下，当时维修的时候把MOS管更换后现象就消失了，以为是MOS管烧坏了。这个PMOS的GS阈值电压是-1~-3V，按这个电路的设计GS电压是-3.25V左右，PMOS没有完全导通，此时Rdson比较大，DS间的压差也大，导致D端电压下降。
是不是3.3V或1.8V这种低电压的电源切换不能用PMOS，用NMOS会比较好？请各位指正。

xihuren · 发表于 2011-11-18 11:12:59

非常感谢！

以下是引用eeerrww在2011-11-17 19:51:56的发言：
因你的Q2是PMOS，那你的C1一端接地，在一开始19V还未上电的时候，C1 2端电压不能瞬间突变，此时相当于Q2的G端电压为0V，3.3V上电的时候，Q2可能会瞬间导通，产生一个大的电流。有可能烧坏MOS。
正常的应该是C1接地的一端应该接到你的19V电源。
如果你的Q2是NMOS转电，那么电容C1才是你现在这样设计。

xihuren · 发表于 2011-11-18 11:12:31

电流探棒

eeerrww · 发表于 2011-11-17 19:51:56

因你的Q2是PMOS，那你的C1一端接地，在一开始19V还未上电的时候，C1 2端电压不能瞬间突变，此时相当于Q2的G端电压为0V，3.3V上电的时候，Q2可能会瞬间导通，产生一个大的电流。有可能烧坏MOS。
正常的应该是C1接地的一端应该接到你的19V电源。
如果你的Q2是NMOS转电，那么电容C1才是你现在这样设计。

fenqing_2009 · 发表于 2011-11-17 17:24:38

你用什么东西测量开关时的电流的?

szhuang50 · 发表于 2011-11-17 16:25:58

看看规格书，GS电压在安全范围内不？
Pmos DS回路，上电过程峰值电流有没超额定？

如电流较大，0.1uf的电容，可能会造成上电过程中，Pmos功耗超额定.

另外，关注下有无静电隐患；DS电流回路是否感性负载等？

xihuren · 发表于 2011-11-17 15:34:25

上传了图片怎么看不到，有好心人帮帮我吗？

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