手机扩展卡之T卡

rflight

T－Flash卡
　　支持机型举例：摩托罗拉E398、E1000、A1000
　　特点：体积最小的存储卡
　　面对手机的加入，存储卡必须尽力往“小”发展才能适应市场。2004年2月28日，SanDisk发布了目前世界上最小的可移动闪存卡T－Flash。这种只有手指甲般大小的存储卡主要用于新型移动电话和DC、DV等电子消费品。T－Flash的体积为11×15×1立方毫米，即便在RS－MMC面前也是个不折不扣的“小个子”，由于T－Flash的出现，手机制造商可以在不改变手机体积、甚至将手机制作得更小的前提下，给手机加入强大的可移动存储容量性能。
　　T－Flash使用了最先进的封装工艺、SanDisk最新的NAND　MLC闪存和控制器技术，是一种低成本、高容量的生产工艺。据业内人士分析，如果价格适当，T－Flash将会很快成为大多数多媒体手提电话的首选存储卡，同时会对3G手机的发展形成一定的影响。目前，摩托罗拉是第一个在产品中使用T－Flash卡的手机品牌，除了先前提到的E398外，摩托罗拉还将在两款3G新品E1000和A1000上采用T－Flash。[br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>

long__ge

[em01][em01]

aquasnake

<P>Pin Assignments</P><P>SD Mode</P><P>1     DAT2            I/O/PP             Data Line [bit 2]
2     CD/DAT3      I/O/PP             Card Detect / Data Line [Bit 3]
3     CMD             PP                   Command Response
4     VDD             S                      Supply Voltage
5     CLK              I                       Clock
6     VSS              S                      Supply Voltage Ground
7     DAT0            I/O/PP              Data Line [bit 0]
8     DAT1            I/O/PP              Data Line [bit 1]</P><P>SPI Mode</P><P>1     RSV              ---                    ---
2     CS                I                       Chip Select (neg true)
3     DI                 I                        Data in
4     VDD             S                      Supply voltage
5     SCLK            I                       Clock
6     VSS             S                       Supply voltage ground
7     DO              O/PP                 Data out
8     RSV             ---                     ---</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

nemoium

<P>为什么叫T-flash,</P><P>T是指什么？</P>[em10]

niles

T-FLASH卡都是NAND FLASH的吗？

ls982002

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>niles</I>在2005-11-21 9:44:14的发言：</B>
T-FLASH卡都是NAND FLASH的吗？</DIV>


我也不明白哦. 听听达人的见解.

syang

<P>T-flash有叫TRANS-FASH。里面跟NAND类似，但工艺不同。比纯粹的NAND-FLASH多了一个处理器。是SANDISK公司发明的，SPEC跟SD，MINISD一样。没通过SD协会认证之前叫T-FLASH，现已经改名为MICRO-SD。</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

solarsonic

<P>现在有新的MMCMicro,主要推动者是Nokia和Samsung.</P><P>主要制造商是Samsung.</P><P>他是基于一种新的协议,但是这种协议是免协议费的,所以MMCMicro的成本要比SD和T-Flash有</P><P>优势,大概64M要少1美圆多.</P><P>但是从技术上它是有不可比拟的优势的,体积和T-Flash基本相当,但是访问速度要比T-Flash快6倍以上.</P><P>明年Nokia和Samsung将联合在手机产品中采用新的MMCmicro卡,相信Nokia和Samsung联合(2者各占手机35%和14%的</P><P>销售量)推动下,MMCMicro必定在未来几年发展壮大.以下是MMCmicro的一些数据和特性.也可以去<a href="http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/micro_mmc.htm" target="_blank" >http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/micro_mmc.htm</A>浏览详细资料.</P><P>Higher Performance
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">&gt; Use the high performance technology SLC(Single Layer Cell)
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">- X1 MMCmicro : &gt; 1.9MB/s
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">- X4 MMCmicro : &gt; 7.0MB/s
<img src="http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/images/Bult_cross_org.gif"> MMCmicro can operate on both 1.8V and 3V supply voltage
<img src="http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/images/Bult_cross_org.gif"> Lower Power Consumption
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">&gt; Dual Voltage Support
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">&gt; Lower Stand-by Current
<img src="http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/images/Bult_cross_org.gif"> Higher Density
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">&gt; Use 5-Stack technology
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">- 512MB in early ’05, 1GB in late ‘05
<img src="http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/images/Bult_cross_org.gif"> Stronger Mechanical Spec
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">&gt; Verified ESD immunity in current MMC
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">- Contact : 4KV, Air Discharge : 15KV
<img src="http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/images/Bult_cross_org.gif"> Open Standard Interface
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">&gt; Use MMC interface
<img src="http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/images/Bult_cross_org.gif"> MMCmicro extends battery life and eliminate the need for voltage step-up circuits to power card slots in 1.8V systems.
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">&gt; For example, TI OMAP 1710 chipset supplies only 1.8V to card now
<img src="http://www.samsung.com/images/spacer.gif">&gt; If 3V card is used, needs level-shifter
<img src="http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/images/Bult_cross_org.gif"> Data recorded on a dual-voltage card in a mobile phone operating at 1.8 V can be read by a PDA or similar device
   operating at 3 V.
</P>[br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>

2nd

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>aquasnake</I>在2005-11-19 23:55:40的发言：</B>

<P>Pin Assignments</P>
<P>SD Mode</P>
<P>1     DAT2            I/O/PP             Data Line [bit 2]
2     CD/DAT3      I/O/PP             Card Detect / Data Line [Bit 3]
3     CMD             PP                   Command Response
4     VDD             S                      Supply Voltage
5     CLK              I                       Clock
6     VSS              S                      Supply Voltage Ground
7     DAT0            I/O/PP              Data Line [bit 0]
8     DAT1            I/O/PP              Data Line [bit 1]</P>
<P>SPI Mode</P>
<P>1     RSV              ---                    ---
2     CS                I                       Chip Select (neg true)
3     DI                 I                        Data in
4     VDD             S                      Supply voltage
5     SCLK            I                       Clock
6     VSS             S                       Supply voltage ground
7     DO              O/PP                 Data out
8     RSV             ---                     ---</P>

<P align=right><FONT color=red>+3 RD币</FONT></P></DIV>



楼主能否解释一下: SPI MODE 和 SD MODE有什么差别,各有什么优缺点?

king99

目前你能使用到的存储卡都是基于nand flash结构的,只是大家用的控制器不一样
控制器的优劣直接导致卡的效率,目前做的最好的应该是SD,TF的几乎跟SD差不多
不过作为经常读写的存储介质不建议使用MLC结构的nand,寿命是个原因
大厂的说的是10,000次,不过有8,000次就该偷笑了
小厂的一般做到5,000次,实际就4,000次

SPI MODE 和 SD MODE是两种不同的模式,论坛是SD的介绍,你看那个就能深刻了解了

rykong

要说SPI和SD的优缺点，一般看BB的功能：
1、TI、Marvell的平台侧重中高端，如OMAP系列、PXA270等，一般内部都有SD模块，所以肯定用SD模式，速度较快；
2、Spreadtrum和Silab等面向中低端，如SC6600、Si4905等内部没有SD模块，而SPI接口经常是和UART共享，所以经常使用其他IO口模拟SPI，采用SPI模式访问T卡，速度应该没有第1种快；
3、第2种情况下，在外接IMAGE IC时，如果该DSP刚好有SD模块接口，就使用SD模式，速度较快。
只是在第2种情况下，为什么不使用其BB自带的SPI接口呢？难道是因为SPI的三线一般共享UART和JTAG模块的接口么？如果用的话，他们的工作怎么才能不冲突？？
拜求各位高工指教啊！！