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[讨论] 请高手帮忙解答一个非常DT的ESD问题!!!!!!!

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发表于 2011-8-15 08:23:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
我是做手机产品的,最近我们公司发现在音频功放的输出端并联两个TVS管,打静电14KV还是过不了,必须一个并联TVS,一个并联稳压管才行,并联两个稳压管也不行,始终想不通,按说TVS响应速度非常快,还并联两个应该没问题,所以有没有高手从材料的角度解释一下这是什么原因?这个问题实在是太DT了,百思不得其解!!!!!!
发表于 2011-8-19 16:32:46 | 显示全部楼层
1.两者的吸收功率不一样,稳压管的吸收功率高,但是反应速度慢,对于频谱成分高的基本没有效果。频谱成分底的占主要功率。
2.两者的反应速度不一样,TVS的快一些。

从放电模型上看,定性的说就是频谱高的被TVS吸收,然后稳压管动作,吸收余下的能量。

这种用法往往寄生电容很大,不适用在高频电路中。
另外我敢肯定你选的TVS性能不好。或者是你没有将TVS尽可能靠近放电点。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2011-8-16 09:15:21 | 显示全部楼层
这个挺费解啊 等待高手
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 楼主| 发表于 2011-8-16 07:59:40 | 显示全部楼层
但是我觉得TVS虽然反应速度快,不一定持续时间短,它可以很快的把电压嵌位在几伏,我们也是用的4-2标准,按说一个TVS肯定够了,但是实际上两个还不行,不知道是不是这样,稳压管反应慢,或者说持续时间长
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发表于 2011-8-15 22:40:59 | 显示全部楼层
这个就是大家对于ESD测试的盲点了。测试电压是包含有两种脉冲,先是0.3 nS的短脉冲,再接上60 nS的长脉冲。你的TVS可能特性不佳,高速反应只能处理前者,而稳压管反应速度较慢,只能处理后者。
详见我的资料库 www.ee-techs.com/emc/esd-test.pdf
[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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 楼主| 发表于 2011-8-15 18:43:47 | 显示全部楼层
相同的位置,都是,都是直接下主地的
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发表于 2011-8-15 16:57:38 | 显示全部楼层
检查下地是否可靠,稳压管的接地是否良好.
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 楼主| 发表于 2011-8-15 12:02:55 | 显示全部楼层
是双向的,单向的对ESD没有影响,反而对打负电更好
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发表于 2011-8-15 09:07:38 | 显示全部楼层
TVS是单向的吧
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发表于 2011-8-28 19:54:15 | 显示全部楼层
我很想知道如果两颗TVS串联结果会怎么样子。。。。。。[em13]
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发表于 2011-8-25 09:46:31 | 显示全部楼层
没个结果吗??到底怎么回事
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发表于 2011-8-20 17:41:33 | 显示全部楼层
换家好点的TVS实验啦
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发表于 2011-9-14 17:01:21 | 显示全部楼层
TVS只能用于削波,将高压嵌位在一个比较低的范围之内,但不能滤波,建议放一个100nf到1uf左右的电容将一些比较敏感的谐波分量滤去看看。
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发表于 2011-9-13 18:13:30 | 显示全部楼层
期待高手
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发表于 2011-12-23 12:48:04 | 显示全部楼层
补充
3、稳压管一般为齐纳二极管,反应速度快,可以有效补充TVS Vpeak的问题。齐纳二极管击穿有齐纳击穿和雪崩击穿。TVS正是利用PN结雪崩击穿原理进行防护的,而稳压管在较低电压就可以启动齐纳击穿避免线路上较高的Vpeak出现而解决问题。
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发表于 2011-12-23 12:36:03 | 显示全部楼层
自己的理解供参考:
1、并联两个TVS效果和一个TVS是一样的。防静电效果和反应速度最快的一颗TVS起到的效果一致。因为即使并联的是同规格器件也是有差异的。因为其中一个器件反应后参与的能量频率变得更高同规格的TVS是反应不过来的。除非你在两个器件之间增加磁珠电阻等器件进行延时。类似于做了两级防护。

2、一般TVS反应速度做到ns数量级别,而ESD主要能量集中在几KHz到几百MHz之间。也就是损坏器件的绝大部分能量TVS导入GND。即使有些特殊情况出现器件失效,增加一定的限流电阻就可以了。但是在静电上升边沿频率非常高,TVS是不会动作的,需要其它元件如磁珠等进行衰减。另TVS厂家一般只是标识Vc即残压值,而不是Vpeak峰值。Vpeak是导致很多设备或者元件工作异常而并没有失效的元凶。
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