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[讨论] 去耦电容的选择举例

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发表于 2011-5-20 09:22:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
【文件名】:11520@52RD_去耦电容的选择举例.doc
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 在高速时钟电路中,尤其要注意元件的RF去耦问题。究其原因,主要是因为元件会把一部分能量耦合到电源/地系统之中。这些能量以共模或差模RF的形式传播到其他部件中。陶瓷片电容需要比时钟电路要求的自激频率更大的频率,这样可选择一个自激频率在10~30 MHz,边沿速率是2 ns或者更小的电容。同理可知,由于许多PCB的自激范围是200~400 MHz,当把PCB结构看做一个大电容时,可以选用适当的去耦电容,增强EMI的抑制。表5-1和表5-2所示给出了电容选择方面有用的数据。从这两个表中,可以知道由于引线中不可避免存在较小电感,表面安装元件具有更高的(大约两个数量级)自激频率。

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发表于 2011-7-12 20:35:28 | 显示全部楼层
下下来看看......
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发表于 2011-7-15 13:06:29 | 显示全部楼层
买不起的人[em03]
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发表于 2011-7-27 15:42:41 | 显示全部楼层
下下来看看......
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发表于 2011-8-30 10:02:04 | 显示全部楼层
先收藏了,以后在下来看看
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发表于 2011-8-30 22:41:28 | 显示全部楼层
谢谢楼主了,呵呵[em01]
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发表于 2011-9-12 11:07:45 | 显示全部楼层
木有钱。。[em03]
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发表于 2011-10-21 14:01:20 | 显示全部楼层
不错啊,不要钱更好[em10]
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发表于 2011-10-20 10:40:33 | 显示全部楼层
好啊好啊
[em01]
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发表于 2011-11-1 22:44:09 | 显示全部楼层
没钱了 悲催滴淫啊~
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发表于 2011-11-11 16:12:02 | 显示全部楼层
[em08]赞一个~~
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发表于 2011-11-10 23:06:18 | 显示全部楼层
能免费就好了
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