ACLR的一边比另一边差了3dB

dpx4086 · 发表于 2011-5-6 20:13:59

各位，请问哪位碰到过ACLR的一边比另一边差了约3dB的问题？

试过了调匹配，没调好。
附件图片是截图。频段是LTE_B7，低信道ch20800，中、高信道都没有这个问题。

请问这个是什么原因造成的？要怎么解决？

谢谢

dpx4086 · 发表于 2011-5-6 20:16:29

图片
<a href="attachments/dvbbs/2011-5/20115620155534426.jpg" target="_blank">打开附件</a>

dpx4086 · 发表于 2011-5-7 00:31:55

以下是引用Arsenal14在2011-5-6 23:20:32的发言：
Suspect transceiver issue[em13]

why?

Arsenal14 · 发表于 2011-5-6 23:20:32

Suspect transceiver issue[em13]

dpx4086 · 发表于 2011-5-16 11:00:23

以下是引用lanneret在2011-5-16 10:53:32的发言：
建议调匹配后如果没怎么改善再处理偏置电路部分

匹配调过了，Load-pull也很集中，并不是发散的，同时进入PA之前的信号也没有问题，但是现在的测试结果就是低信道有这个问题，高信道的也有点不平，但是相差在1-2dB，没这么严重。所以我想试着找找匹配以外的原因。

lanneret · 发表于 2011-5-16 10:53:32

建议调匹配后如果没怎么改善再处理偏置电路部分

dpx4086 · 发表于 2011-5-16 10:11:12

以下是引用wujieouc在2011-5-16 9:51:12的发言：
楼上的建议不错，可以先了解一下记忆效应，参考书籍《RF power amplifier for wireless communications》p256，对于偏置网络的设计和改善，请参考第343页。
PA的供电滤波电容尽量靠近芯片的管脚（如果是集成芯片的话），电源线尽量的宽，以减小直流阻抗，旁路电容至少有三个，pF，nF，uF级，pF主要用于滤除泄露的射频信号，其他的用于滤除包络引起的Vcc电压的改变。所使用的电容ESR应当尽量低，可以多并联几个降低ESR。我觉得陶瓷电容比钽电容要好一点（不太确定）。其他也没多少建议了，楼主多做实验，自己好好总结吧。

恩，试过了调偏置，但是至今还是没有改善。正在找相关的参考资料，同时也在做实验。

wujieouc · 发表于 2011-5-16 09:51:12

楼上的建议不错，可以先了解一下记忆效应，参考书籍《RF power amplifier for wireless communications》p256，对于偏置网络的设计和改善，请参考第343页。
PA的供电滤波电容尽量靠近芯片的管脚（如果是集成芯片的话），电源线尽量的宽，以减小直流阻抗，旁路电容至少有三个，pF，nF，uF级，pF主要用于滤除泄露的射频信号，其他的用于滤除包络引起的Vcc电压的改变。所使用的电容ESR应当尽量低，可以多并联几个降低ESR。我觉得陶瓷电容比钽电容要好一点（不太确定）。其他也没多少建议了，楼主多做实验，自己好好总结吧。

applebad · 发表于 2011-5-16 09:42:30

先了解了解功放的记忆效应

dpx4086 · 发表于 2011-5-16 09:31:33

以下是引用wujieouc在2011-5-9 11:36:47的发言：
尝试在漏极供电端加入一些nF和uF的电容，以滤除信号包络变化对静态工作点的干扰。可以试一下，但是不一定管用。

在另外一个论坛上也有人说是电源偏置网络的滤波问题，但是我调了一下，没有改善。
这里：http://www.eefocus.com/bbs/article_44_139372.html
请问应该怎么调？
谢谢。

wujieouc · 发表于 2011-5-9 11:36:47

尝试在漏极供电端加入一些nF和uF的电容，以滤除信号包络变化对静态工作点的干扰。可以试一下，但是不一定管用。

湘阳漫士 · 发表于 2011-5-8 20:58:45

戴总，PA前后的匹配都调下

lfyb243 · 发表于 2011-5-8 20:48:44

肯定是匹配没有做好

湘阳漫士 · 发表于 2011-5-8 18:37:43

可以通过调试PA匹配解决。尝试下新的匹配形式。曾经遇到过好几次。

icemood1984 · 发表于 2011-5-8 14:31:40

调偏置上的电容与位置试试

yuyouling84 · 发表于 2011-5-17 13:20:25

弱弱的问下这个与前向耦合的平坦度不好、耦合器的方向性低有木有关系？或者DPD的时延状态？

坐等高手解惑。。[em07][em07]

hanway · 发表于 2012-7-24 19:34:46

楼主用什么管子，是不是采用dual-feed形式？

hying629 · 发表于 2012-7-24 16:05:36

虽然过去一年了，但我还是想问下，因为我现在也遇到了，楼主是怎样解决的，谢谢~~

snail2599 · 发表于 2013-1-9 16:02:54

#12 楼的兄弟说的这个都是用滤波电容的最基本的知识。电容是否合适，用频谱一量一下这段链路的频谱就什么都清楚了。
至于楼主遇到的问题，之前在调CDMA 的时候，遇到过ACPR值两边高低不平，当时的高工建议是调VCC的滤波电容。试了基本上没有效果。后来是调了PA 前后端的匹配才优化的。
简单说一下：其实如果整个供电系统已经很干净了，PA从电源泄露对VCC的影响很小了的时候，再调节这些电容的值，应该没什么用处的。再说一下load pull报告，从那份报告里可以看见ACPR值和功耗的对应阻抗点，个人觉得调节PA 的输出matching，此值应该可以优化。另外，PA的输入信号也是一个关键，毕竟是临道泄漏抑制比。
PA 的记忆效应真不清楚，大家可以多说说，万分感谢。

furuifei · 发表于 2012-12-31 21:00:44

<B>以下是引用<i>wujieouc</i>在2011-5-16 9:51:12的发言：</B>
楼上的建议不错，可以先了解一下记忆效应，参考书籍《RF power amplifier for wireless communications》p256，对于偏置网络的设计和改善，请参考第343页。
PA的供电滤波电容尽量靠近芯片的管脚（如果是集成芯片的话），电源线尽量的宽，以减小直流阻抗，旁路电容至少有三个，pF，nF，uF级，pF主要用于滤除泄露的射频信号，其他的用于滤除包络引起的Vcc电压的改变。所使用的电容ESR应当尽量低，可以多并联几个降低ESR。我觉得陶瓷电容比钽电容要好一点（不太确定）。其他也没多少建议了，楼主多做实验，自己好好总结吧。

漏极供电臂电源电压调高，钽电容怕是不行吧？不过用大封装耐高压如250V的大的陶瓷电容靠近功放管附近放电容可以试试，就是体积太大，价格太高。如果能升级DPD的话就更好了，我碰到过升级DPD算法，ACPR大幅度改善的情况。还有对称的调试成不对称的试试看，效果说不定更好。

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