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发表于 2013-1-2 00:49:38
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1.检查26MHz的晶体,有没有贴反?有没有来料不良,如果它有问题,那输出的IQ信号就有问题,后面的指标就不用说了(一般它的layout走线应该都没有什么问题的)。[/COLOR]
XO本身要远离PMIC或PA这类温度容易飙高的组件
避免因高温而导致频偏
以至于量到的最大饱和功率偏低
这会使PA的线性度无法再更进一步提升
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而Layout时,XO不但表层周遭要净空
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下层更是一定要挖空
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因为寄生电容会影响XO的负载电容,进而影响震荡频率,
容易有Frequency error,因此要特别注意,有些XO甚至下两层都要挖
而XTAL_In, XTAL_Out的Trace
要用GND包好 不然若受干扰
会导致调变精确度下降 进而调制谱Fail
至于XO_OUT 因为富含大量谐波
而电源稳压不好,则可能会使主频两旁的频谱上涨,若此时XO_OUT的谐波
正好又落在上涨的频谱当中,则可能使 ORFS 超标
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除了要用GND包好,另外在靠近PMIC与靠近收发器处,
需分别摆上两组RC低通滤波器,当然,XO_OUT最好是可以走内层
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2.查layout的IQ四路信号,看有没有其它的控制信号正好穿过他们,一般的都做了保护,应该来说这个的可能性不大。[/COLOR]
IQ讯号可能会因Layout 导致IQ Mismatch
这使调变精确度下降 进而劣化调制谱
或是被控制讯号, 高速讯号, 电源走线所干扰
这也会使调变精确度下降 进而劣化调制谱
所以也要用GND包好
3.TRANSCEIVER本生的来料不良,或者与VCO、SYS、TCXO的电源退耦,有没有做好。[/COLOR]
而收发器的电源有许多,
要特别注意LO、VCO、PLL、XO相关电源的稳压与IR Drop,因为都会与调制/开关频谱有关。
<img src="attachments/dvbbs/2013-1/2013120314638722.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />
4.PA到TRANSCEIVER的匹配,这个不调试好的话,到PA输入端的功率就会偏大(经验认为是这样的),这样对测试调制谱和开关谱都不利。[/COLOR]
这应该不是这样解释
调整PA Input Matching
两个含意
1.PA Input同时也是DA的Load-pull
所以调这边 等于提高DA线性度
可以改善PA input的调制/开关频谱
否则若PA input的调制/开关频谱已经很烂
加上PA是主要的非线性贡献者
那PA output的调制/开关频谱 只会更烂
2.PA Input离VCO很近
若Matching不好 可能会导致部分讯号反射
进而打到VCO 导致调制频谱不好
5.PA本身物料的问题,一般调试PA VBAT的退耦电容会对相位误差帮助大点,但是万事无绝对,调制谱虽然理论上只与TRANSCEIVER和它自身退耦电容、以及晶体有关,但是PA是进一步放大功率,难保非线性调制会产生的寄生分量会有很大的余量。[/COLOR]
不对!!
PA在大功率时 是吃VBAT
由图可看出 VBAT的退耦电容加大
确实可改善左右两旁频谱上涨的情况 进而改善调制/开关谱
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基本上 不管是调制谱 还是开关谱
PA电源端的退耦电容 都是最关键的
因为GSM是Burst Mode PA会一直On/Off
进而产生瞬时电流
这瞬时电流 可能会去干扰PMIC, 收发器
甚至是透过其他路径 再回过头来干扰PA自身
另外 Backlight之DC-DC Converter,也是常见的瞬时电流来源
若PA电源端的退耦电容 稳压效果不佳
无法将Backlight之DC-DC Converter引起的瞬时电流来源
藉由稳压电容 Bypass到地
则流入PA电源端
同样会使PA电源不稳定 导致两旁频谱上涨 调制/开关频谱劣化
换言之
PA电源端的稳压电容
除了要能将自身产生的瞬时电流 全都Bypass到地
避免去干扰XCVR/PMIC 甚至间接干扰PA自身
同时也要避免Backlight之DC-DC Converter的瞬时电流
流入PA电源
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6.PA的输出匹配,这里调试虽然只和功率和电流有关,但是对调制铺、相位误差、开关谱都会有些影响,但不是主要的影响。[/COLOR]
基本上 调制/开关频谱
就跟WCDMA的ACLR一般
都是在衡量发射端对于邻近通道的干扰程度
以电路观点 就是在衡量你TX端电路的线性度
因此PA的输出匹配 可提升PA的线性度
这对调制/开关频谱 当然有帮助
8.屏蔽罩的影响,你可以试着拿下TRANSCEIVER的屏蔽罩后,看一下你所测试的指标是不是会有好转,有的话,想想怎么去改屏蔽框和屏蔽罩,改变腔体谐振频率。[/COLOR]
在零中频架构中 因为VCO频率跟主频一样
所以多半会将PA跟收发器 分别放入两个独立的Shielding
但PA的input跟output 可能会因为Mismatch
导致讯号反射 然后透过传导或耦合方式 流到收发器的Shielding Cover
因为此时收发器整个屏蔽罩 宛如一个共振腔
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加上因为流到收发器Shielding Cover的主频讯号(粉红色讯号) 与VCO频率一样
所以其VCO频率点 所谐振出来的S11 不用到-10 dB 只要一点点
便足以将流到收发器Shielding Cover的主频讯号 透过共振腔机制
以幅射方式打到VCO 进而导致调制频谱变差
所以拿掉Shielding Cover
在收发器上方加Absorber 或是将Shielding Cover剪一小块
都是在破坏共振腔机制
如果以上实验能使调制频谱改善
那就是要加强收发器Shielding Cover与Shielding Frame的紧密度
也就是加强其收发器Shielding Cover的GNDING
使流到收发器Shielding Cover的主频讯号 都会流到GND
而不会透过共振腔机制 以幅射方式打到VCO
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9.如果是开关谱的问题,一般调试 RAMP PROFILE就差不多了
或者VRAMP的那个低通滤波器的电容,往哪个方向改,自己试一试。[/COLOR]
Vramp越陡峭,则开关频谱越差
<img src="attachments/dvbbs/2013-1/2013120401379453.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />
因此若为高通平台,可透过调校NV,来增加Vramp曲线的平缓度,以改善开关频谱
另外,也可调校PA启动的时间(蓝色曲线),
使其与Vramp(黄色曲线),在时域上有适当间距,以进一步改善开关频谱。
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至于Vramp曲线的优化,则是尽量调校成Raised Cosine,且在上升曲线有一个类似台阶的形状,如此会有最佳的开关频谱
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当然,也可透过硬件调校,来改善开关频谱,
可利用调校电阻与电容值,来改变Vramp曲线,进而改善开关频谱。
<img src="attachments/dvbbs/2013-1/201312042694533.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />
而Layout时,也要将Vramp走线用GND包好,且远离XO/TCXO,高速数字讯号,以及电源相关走线,避免使开关频谱劣化。
更多详细内容
可参考手机射频研发讨论区的
『GSM之调制与开关频谱(ORFS)解析与调校大全』 |
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