谁能帮忙解释一下这个PMOS问题

guzhoumingyue · 发表于 2011-4-1 01:18:13

我猜想这个CMOS管应该是耗尽形的，这样才会有G极在float状态下导通。

wx_gwwfs · 发表于 2011-5-13 16:32:07

我晕倒啊[em01]

52rdhouzi · 发表于 2011-5-24 13:26:39

是导通的，应该Q里面有一个导通的二极管

qinrenzhi · 发表于 2012-2-3 18:18:41

学习。。。。。

hemgoalwei · 发表于 2012-2-17 15:00:50

以下是引用guzhoumingyue在2011-4-4 1:29:36的发言：
<img src="attachments/dvbbs/2011-4/2011441304924106.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />

装13啊你

hemgoalwei · 发表于 2012-2-17 14:50:06

装13啊你

victorygao · 发表于 2012-2-24 16:16:05

TTL电平悬空默认为高电平，
CMOS则不一样了。MOS电平输入阻抗可达到10的10次方。原则上讲是不允许悬空的；所以此结果就是一个随机值。跟G级附近的电磁环境影响很大。
仿真软件是默认悬空为低了

woxin · 发表于 2012-6-11 19:12:58

或者说5V对GS间等效电容充电，导致VGS于一定值，PMOS导通

woxin · 发表于 2012-6-11 19:10:07

pmos不是当VGS小于一定值的时候导通么，适用于源极接VCC的设计，所以你源及接VCC，然后不知道那位很NB的哥们是不是说的悬空相当于导通状态啊？

as380736119 · 发表于 2012-8-4 17:58:56

CMOS器件，输入阻抗很大（MOHM级别的），是不允许悬空的，周围的电磁环境影响，很小的电流就会产生高压损毁器件的；

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