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[讨论] looking for reason

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发表于 2011-1-12 12:48:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
对于静电接触测试2kv,4kv,6kv,8kv等级的测试结果差不多,并没有因为测试电压的增高而使板子的抗干扰能力变差,造成这种现象的原因有哪些?
 楼主| 发表于 2011-1-13 23:17:13 | 显示全部楼层
也就是说:一般即使测试失败也应该是2kv放电次少多,8kv放电次数少才导致失败,而现在是不同测试电压值,测试失败时放电次数是差不多的。
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发表于 2011-1-13 17:39:30 | 显示全部楼层
以下是引用milkline在2011-1-13 12:30:09的发言:
对你提出的问题,我表示很难理解,你在问什么?
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发表于 2011-1-13 14:27:09 | 显示全部楼层
他应该是觉得板子在经过不同等级的放电测试后,板子性能会有所下降。不知楼主是否是这个意思!!![br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2011-1-13 12:30:09 | 显示全部楼层
对你提出的问题,我表示很难理解,你在问什么?
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发表于 2011-1-13 11:22:06 | 显示全部楼层
最脆弱的部分把能量全吸收了。
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发表于 2011-1-17 14:01:30 | 显示全部楼层
为什么一定要电压高测试fail越快呢?试想一个电容器的放电曲线,当电压低的时候电容器放电也缓慢,电压高的时候放电也快。
另外,还要具体问题具体分析,也许静电测试问题是出在某个功能运行的时候,而且每次都是固定时间触发这个程序或者功能,导致你之前的放电并没有影响,而这个事件之后的静电就会有问题。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2011-2-16 12:04:16 | 显示全部楼层
我的理解:
1、与设计使用的保护方案有关系。假设你采用的常见的PESD或者低容值MLV器件进行防护,就目前的器件工艺水平,此类器件有个特点就是在较低静电等级如8KV以下防护效果差不多,也就是说你打2KV残压与8KV残压基本差不多,那么静电测试的结果也就差不多了。如果采用TVS在这方面会好很多;
2、与单板的PCB设计相关,尤其是地处理,单板太脆弱了。也就是说2KV的能量就足以导致单板Fail了再往上增加影响就不会是线性的了。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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