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[讨论] 载波抑制问题,牛人请入

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发表于 2010-11-18 17:49:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位大侠:
    好,想了解下载波抑制的情况,据知,我们载波调制功率过大会对本振信号产生影响,进而使EVM变差,但是具体是怎样来抑制的?我们手机校准是通过什么方式校准的呢?同时谁能回答下,为什么只要对DCS,PCS进行载波抑制校准,GSM900/850就不需要?请各位达人告知~
 楼主| 发表于 2010-11-19 15:40:18 | 显示全部楼层
自己顶下
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发表于 2010-12-18 01:04:24 | 显示全部楼层
零中频用算法校正(本振泄漏和有用信号重合,无法使用RF filter),复中频可以使用RF滤波器抑制,你仔细比较下发射机架构是不是不一样
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发表于 2012-1-4 14:20:11 | 显示全部楼层
我也想知道为什么,哪位高手能解释一下
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发表于 2012-3-2 09:39:48 | 显示全部楼层
为什么啊?
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发表于 2012-3-2 09:22:30 | 显示全部楼层
我也向知道啊
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发表于 2012-3-22 16:53:05 | 显示全部楼层
没做过手机,在TD的基站里面可以用LO_nulling减小LO对output的影响
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发表于 2012-4-6 22:10:44 | 显示全部楼层
做基带的表示看不懂
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发表于 2012-4-4 22:36:55 | 显示全部楼层
路过学习一下[em01]
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发表于 2012-4-15 23:03:55 | 显示全部楼层
指的是手机上行吧,通常会有发射反馈通道,检测本振泄露情况,然后调整IQ两路的直流偏置来降低本振泄露功率(零中频下,本振泄露受IQ泄露影响很严重)。至于为啥900/850不用校准,也不是很清楚,难道是因为带宽较窄?期望高手解答
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发表于 2012-4-12 12:29:02 | 显示全部楼层
我看看看[em08]
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