关于MTK平台充电电路上PMOS管压降的计算

luowei01051145

　MTK平台是通过控制外部的PMOS管的G极来控制充电电压的，实际的充电电压比电池电压大0.1V左右。要保证能给电池充满电，那么充电电压至少4.2V，即充电回路的最大压降是0.8V（旅充输出电压按５.０V算），如果压降过大，那么就会导致提前进入恒压模式充电，会增加充电时间。我想计算在最大充电电流下PMOS管的极限压降，可是问题出现了：
     同样的充电电流比如450mA,电池电压不同时在PMOS管上的压降就不同，电池电压小时，PMOS管上压降就大，电池电压大时PMOS管的压降就小，此时如果用PMOS管上D、S的压降处于充电电流的话，算出来的电阻是变化的，此时PMOS管可以理解为一个可变电阻了，多余的压降就耗在了PMOS管的导通电阻上。　　
     PMOS管datasheet 上表明的导通电阻都是在特定条件下的值，比如我们用的PMOS管是这样标注的：0.11欧@Vgs=-4.5V，Id=-3.6A。可实际的Vgs不等于-4.5V，电流也不等于-3.6A。这样它给的电阻就无法用于理论计算，而如果通过实际测试呢，每一台机子的状态又不完全相同。

　　　如何确定PMOS管的最大压降呢？

  表达能力不好，不知道我说的问题大家看懂没有！

song770110

谢谢！！

stock1783

就是充电器电压减去电池电压了，都是限流的，因此不可能拉低充电器的电压

kontin

跟进学习。呵呵。字多了，看了晕乎。

figoo1982

这个好像没有多大意义吧，什么时候进入恒压模式和你设定的充电电流大小有关，不管恒压还是恒流模式，都在充电，电池电压都在上升，所以设计时只要计算截至充电这个临界状态就可以了，而且你这个算法也是有问题的，电池有内阻，在电流这么大的情况下压降比较明显，你所说的恒压恒流转换时刻的电池电压不是电池的开路电压，所以没有意义

luowei01051145

到现在发现，其实MTK的东西呀，很多人只知道用，当然MTK推荐的东西也是没有问题的，只是很多人知其然知其所以然。不过我们用好了也不错！

speshowbata

晕了，没看懂。

xialu

0.11欧@Vgs=-4.5V，Id=-3.6A。一般可以理解为MOSFET完全饱和导通时的电阻值，即用作开关电路时的电阻值。而在充电电路中，MOSFET并不是工作在饱和导通状态，而是工作在可变电阻区。
可以看一下SEPC中的VDS与ID的那张图，比如说VGS=-1.5V时，当VDS从-1.8V到-0.8V这段区间内，ID几乎没变（即充电恒流），那么MOSFET的等效阻抗VDS/ID,一直在减小，即MOSFET导通电阻是可变的。

要PMOS管的最大压降只需要考虑充电的极限状态，假设充电器为5V，二极管压降为VD，那么PMOS的VDS=5-VD-VBAT，VBAT电压小时，VDS必然就大了。

我倒是觉得计算PMOS的最大压降没有太多意义，有意义的是PMOS的最大功耗ID*VDS。最大功耗发生在ID最大，VDS最大的时刻，即VBAT=3.2V，PMU刚刚转入恒流的那一刻。  当然这还没考虑MTK软件恒流充电时会有一个开关断周期，这些也算上，就更复杂了，不多说了。

以下是引用luowei01051145在2010-11-1 20:45:48的发言：
　MTK平台是通过控制外部的PMOS管的G极来控制充电电压的，实际的充电电压比电池电压大0.1V左右。要保证能给电池充满电，那么充电电压至少4.2V，即充电回路的最大压降是0.8V（旅充输出电压按５.０V算），如果压降过大，那么就会导致提前进入恒压模式充电，会增加充电时间。我想计算在最大充电电流下PMOS管的极限压降，可是问题出现了：
                                 同样的充电电流比如450mA,电池电压不同时在PMOS管上的压降就不同，电池电压小时，PMOS管上压降就大，电池电压大时PMOS管的压降就小，此时如果用PMOS管上D、S的压降处于充电电流的话，算出来的电阻是变化的，此时PMOS管可以理解为一个可变电阻了，多余的压降就耗在了PMOS管的导通电阻上。　　
                                 PMOS管datasheet 上表明的导通电阻都是在特定条件下的值，比如我们用的PMOS管是这样标注的：0.11欧@Vgs=-4.5V，Id=-3.6A。可实际的Vgs不等于-4.5V，电流也不等于-3.6A。这样它给的电阻就无法用于理论计算，而如果通过实际测试呢，每一台机子的状态又不完全相同。

　　　如何确定PMOS管的最大压降呢？

                表达能力不好，不知道我说的问题大家看懂没有！

powl

如果不考虑充电器功耗问题，则不可以过分关注PMOSFET开关损耗和导通损耗。当然如果需要考虑PMOSFET 损耗（例如目前比较常见的移动电池给手机充电）， 则比较复杂。从PMOSFET选型参数看，我们额外关注参数涉及到Qg等。

压降太大的PMOS肯定是不行的！