一种IC特性

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　该BB515设计为一种PNP / NPN单晶矽电晶体的平面,可以应用于低压、支大电

流安培、防碍程序。这个装置的特点是:（1）低集电极到发射极饱和电压;(2)很

小的规模使它容易提供高密度、小型混合集成电路。
　　BB515的绝对额定值为:（1）集电极发射极饱和电压:20V;(2)集电极发射极

电压:15 V;(3)发射极基地电压:5 V;(4)集电极电流:0.7A;(5)集电极电流(脉

冲):1.5A;(6)集电极耗散:500mW;(7)结温:150℃;（8）存储温度范围：-55℃至

+150℃。
　BB515的电特性为:（1）集电极截止电流：0.1μA;（2）发射极截止电流：

0.1μA;（3）直流电流增益：140至560;(4)带宽增益:250MHz;(5)特定饱和电

压:10 - 25 mV;（6）饱和电压:0.8至1.2 v .