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[讨论] 求助,NXP 5209平台,RF3159的PA,发射时电源压降过大

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发表于 2010-8-6 23:37:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题,我们是K3的平台,460M的版本。
在PA以最大功率发射时,整机电流约600mA,不发射时是250mA,发射时测量CPU处最近的VBAT,会有07V左右压降,导致CPU死机。
我试着将电池连接器边上的大电容直接飞线到CPU输入端,没有明显改善;
将PA的滤波电容接地充分,改善了约0.1V-0.2V,压降还是过大;
PA处走线并不马虎,过孔数量不少。
整机校准也可以过,但是插着SIM卡搜网就会死机。不知道这个压降跟PA的质量会不会有关?
我们另几个项目,Modem这块跟这个一模一样,走线也差不多,都没出现这么大的压降,不过测试发现另一个项目的最大功率发射时,整机电流只有400mA不到,而不发射时大约200mA,为何发射电流会差这么多?
请大家指点迷津哈,谢谢啦!
 楼主| 发表于 2010-8-7 12:34:57 | 显示全部楼层
我是用TAT工具控制PA发射的功率的啊,跟天线会有关系吗?
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发表于 2010-8-7 09:27:39 | 显示全部楼层
整机测试时,天线和PA之间适配导致pa工作电流太大,同时3159是压控pa,建议重新调试天线。
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发表于 2010-8-12 12:56:16 | 显示全部楼层
PA工作时的瞬时电流比较大,它拉去了很大的电流,觉得还是应该加大VBAT 还有 PA 旁的大电容。PA附近的大电容要离PA近一些。此外PA的供电线尽量走的宽点。要不然就算有大电容但瞬时电流也是太大导致CPU 死掉。
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发表于 2010-9-20 10:09:02 | 显示全部楼层
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