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[讨论] 问大家一个问题——DDR CLK辐射超标

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发表于 2010-7-30 14:20:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
可以将串联电阻值改变降低辐射大小吗?谁有这方面的经验?
发表于 2010-7-30 22:38:51 | 显示全部楼层
1.看看PWB走线是否能走在内层,用地包起来。如果线走在表层,要debug的话,用铜箔什么的糊起来,把铜箔接上地,屏蔽起来。或者用吸波材料贴上试试(吸波材料要选择合适)
2.加大串联电阻值试试[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2010-8-13 10:09:10 | 显示全部楼层
首先,这个串联电阻的值不可以随便改,因为这个阻值从SI角度考虑是用来串联匹配的,如果改变了这个值可能信号失真会很严重,眼图过不了,
但是几乎可以肯定的是如果你增大这个阻值EMI一定会减小,因为匹配电阻阻值增大就意味着终端的充放电时间延长,就是说信号的上升沿会变得缓慢,这样的话对于EMI来讲肯定是有好处的,但是对于SI来讲可能会是噩梦。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2010-8-12 15:44:16 | 显示全部楼层
DDR的辐射只能两种方法来解:
1.调展频来克服;
2.屏蔽接地的方法,用法拉第罩屏蔽;[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2010-8-21 09:43:15 | 显示全部楼层
新手学习了
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发表于 2010-9-9 09:35:46 | 显示全部楼层
请教一下,DDR走线都是怎么测试的?有没有特别注意的地方?
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发表于 2010-9-7 13:22:42 | 显示全部楼层
有道理。
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发表于 2011-1-6 14:17:37 | 显示全部楼层
学习了,
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发表于 2011-1-5 16:57:55 | 显示全部楼层
在保证信号完整的基础上,1可以由软件将DDR信号工作频率调宽;2可以做屏蔽处理;3可以串联适当的电阻。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2011-1-5 09:50:58 | 显示全部楼层
学习中!!![em01]
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发表于 2011-3-22 12:09:49 | 显示全部楼层
我们做相机产品也碰到DDR引起EMI测试不过,我们的做法是串电阻方式和软件修改方式,因为电阻过大,机器不能正常工作.这时就要软件去调式.
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发表于 2011-4-2 09:18:04 | 显示全部楼层
DDR 容量的选取 也是一个问题???
各位高手 给个 准确答案
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