HEMT属于哪种场效应管？

canwei404

上学的时候书上讲过，场效应管可以分为 “结型场效应管”、“增强型场效应管”、“耗尽型场效应管”等三种，现在工作了，接触到的管子越来越多，什么GaAs场效应管、HEMT场效应管，请问各位大侠，GaAs、HEMT个属于上面三种场效应管中的哪一种？还是和上面三种独立的种类，有没有别的种类了，迷茫……

wyzcl

HEMT 为一种采用异质结场效应晶体管,特点是速度快,工作频率高,属于结型FET.它一般采用AlGaAs/GaAs工艺制程.

GaAs 只是一种半导体材料,它可以广泛用于FET 和 BJT 的制作.适用领域包括高频和光电器件.

另外可以参考以下文献:

GaAs/AlGaAs HEMT材料的结构与电学性能研究姚官生  
【摘要】： 本文采用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上成功制备出了高质量GaAs/AlxGa1-xAs HEMT(高电子迁移率晶体管)材料。研究表明,该材料室温下电子迁移率为7950cm2/V·s,面电子浓度为6.25×1011cm-2,77K时迁移率达到140000cm2/V·s,面电子浓度为5.78×1011cm-2,居国内领先水平。 首先,我们采用Daniel Delagebeaudeuf和Nuyen T.Linh的理论模型模拟了HEMT材料面载流子浓度ns与体掺杂浓度ND、空间隔离层厚度di、AlxGa1-xAs中Al组分含量x以及空间隔离层厚度和迁移率之间的关系,结合模拟结果进行了材料结构设计。 然后,通过生长不同结构的薄膜实现了对HEMT样品MBE生长条件的控制:为了控制Si掺杂浓度生长了Si掺杂GaAs外延薄膜;为了控制Al的组分x生长了GaAs/AlxGa1-xAs异质结薄膜;为了控制空间层厚度生长了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格样品。根据材料设计结果和优化工艺条件得到了高面电子浓度和高电子迁移率的HEMT材料。 采用x射线双晶衍射(DXRD)对材料的晶体结构特性进行分析,电化学C-V方法用来研究材料的掺杂特性,用原子力显微镜(AFM)研究了材料的表面形貌,用Hall测试来研究材料的电学性能。 研究发现,衬底温度对材料的性能影响非常大:在640℃下生长的异质结和HEMT样品,其表面非常平整,表面粗糙度非常小;随着衬底温度的升高,HEMT样品的ns和μ都会有很大的提高。 材料的工作温度和空间隔离层厚度对HEMT的电学性能都有很大的影响。随工作温度的降低HEMT样品的μ逐渐增加,ns逐渐减小,在77K时的迁移率和面电子浓度比在300K时有非常大的提高;随空间隔离层厚度的增加HEMT材料的迁移率会逐渐增加的,而面电子浓度是逐渐减小的。 最后我们研究了快速退火对HEMT材料电学性能的影响。研究表明随着退火温度的升高HEMT材料的电子迁移率有所下降。但另一方面,在一定范围内,随退火温度的增加HEMT材料的面电子浓度却逐渐增加。

cciemaple

很多调频收音机没有前置高放，我一般都是加一级RC宽带放大(所用元件：S9018/电阻1k,100k各一/1000p电容二只；3伏供电。)，增益不算太高500华里内的电台也能接收到很稳定的信号。

canwei404

谢谢大家，特别是2楼的解释。
在问一下，还有个HJ-FETs(Hetero Junction FET)，看翻译也能知道它的意思，但是翻译中的这个解释又是什么意思呢，哎，还是不明白！

chensy

呵呵，学习了

hjjxau

HEMT就是高电子迁移率晶体管的英文缩写，凡是高迁移率的FET都可以这么称呼吧。我是这样理解的。