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[讨论] VDD_SIM的快速放电

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发表于 2010-6-22 18:16:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
看到一个PMU手册里面写,sim专用供电的LDO带如下功能:
fast output discharge at no load
就是在不带载的情况下快速放电。

请教高手这是为什么?这种功能是针对SIM卡才有的吗?其他地方会不会用到?为什么要对一个空载的LDO快速放电?
发表于 2011-3-26 16:04:05 | 显示全部楼层
有谁能解释的更明白点??
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发表于 2010-6-28 14:50:29 | 显示全部楼层
就是一个带有输出下拉电阻的LDO
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发表于 2010-6-27 14:51:08 | 显示全部楼层
空载当然不会有什么关系,主要是下电的时候。
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 楼主| 发表于 2010-6-23 11:11:10 | 显示全部楼层
哇塞,版主驾到啊~~
可是既然是no load的情况,那么既是没有插入SIM卡的情况啊,这也和sim协议有关系?我去找份协议学习下哈。
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发表于 2010-6-23 09:47:04 | 显示全部楼层
是的,SIM协议里有这个要求
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发表于 2011-3-26 10:38:02 | 显示全部楼层
用LDO也达不到要求,基本上都是要加MOS管才能过测试.
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发表于 2011-3-25 20:12:42 | 显示全部楼层
那如果要共用电源,需要加开关隔离能行吗?
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发表于 2011-4-12 22:28:57 | 显示全部楼层
等待回答[em13]
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发表于 2012-1-17 17:19:58 | 显示全部楼层
快速放电用在电源关闭的时候,靠内部MOS管迅速放掉电源上电容的电荷,保证下电时序
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发表于 2012-1-14 20:43:45 | 显示全部楼层
Simcard 规范ISO7816里面并没有关于VDD下电时间的要求,所以普通的LDO就可以供电。
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发表于 2012-1-12 16:54:44 | 显示全部楼层
给你们个权威解释吧
GSM_ETSI_TS_151 010-1 Chapter 27.17.1.1
Phase preceding DUT power on, residual voltage
SIM C1, C2, C3, and C6 residual voltage <0.4V
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发表于 2012-1-10 23:38:00 | 显示全部楼层
学习啦~
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