突破3D IC設計挑戰　TSV CIS價跌量升

Tiborlee · 发表于 2010-6-15 11:10:20

三維矽穿孔(3D TSV)的技術好處相當多，但是不同的互補式金屬氧化物影像感測器(CIS)特性影響結構甚鉅。如若不是採用晶元背後感光技術(Backside Illumination, BSI)，則CIS的晶粒一定向上；TSV就必須根據球柵陣列(BGA)的落角設計。有關CIS設計(含TSV)技術的挑戰，包含光學設計、鏡片材料、量測、晶圓級封裝(WLP)與智財權的問題(Legal Aspects)，以下一一介紹：

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hhlln · 发表于 2010-6-16 17:48:22

have a look

rock998 · 发表于 2010-6-17 16:48:57

good!

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[讨论] 突破3D IC設計挑戰 TSV CIS價跌量升

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