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1,开关谱
是不是指PA打开和关闭的一瞬间, PA输出的频谱呀?
如果指标不好,是不是应该调PA控制端Vramp的上升沿和下降沿啊?
Vramp的上升沿和下降沿好，开关谱, 调制谱自然就好！关键是如何提高Vramp的质量，这主要就看你的Lay板水平了
2, 调制谱
是不是指PA长开时,PA输出的频谱呀?
如果指标不好,是否应该调I,Q两路信号的相位及幅度啊?
看看transceiver的电源及I,Q支路滤波就行了
3,杂散
主要分量是谐波成分吗?
如果指标不好,是应该调SAW吗?
个人认为，SAW影响很小，主要是PA后面的双频开关、天线开关影响很大等！
1, "关键是如何提高Vramp的质量，这主要就看你的Lay板水平了"
不是用软件调它上升下降的波形吗? 为何与布板还有关呢? 有干扰?? 这是个低频信号啊, 末端串个电阻再接个电容到地, 就应该能滤除干扰呀. 布板不会要求那么严吧?
2, "I,Q支路滤波"
我们用的TI方案, ABB TWL3104输出与Transceiver 之间的Ｉ，Ｑ连线基本上是直连的，只有一个ＲＣ滤波，串联电阻－－并联电容－－－串联电阻．
你指的是这个吗？
3, ＂PA后面的双频开关、天线开关＂
我们用的是FEM(内置SAW和switch), 你说的两个开关就是指这个吧?
Power Vs Time曲线的上升沿和下降沿是可以用软件调的,Vramp的上升沿和下降沿好象与软件关系不大吧(疑惑...),但时序很重要.
TI的方案不太熟,呵呵.你所说的I,Q支路滤波应该就是典型的RC三阶滤波器吧?
杂散分传导杂散和辐射杂散,你所说的FEM就是抑制杂散的关键!
是这样得，我理解他说得时序应当是TX发射打开信号，Band select信号，还有Vramp三者得关系，一般在PAM的Datasheet中会提到软件应当如何设置。
比如：
Band选择到GSM，再10us后打开PA，然后4us后Vramp开始上升，然后ramp up 14us，传输Data burst，然后ramp down 14us,再4us后关闭PA
PAM是PA和ASM的集成芯片，现在很多芯片厂家把RF芯片集成成两块了，说不定哪天只有一块了！！我们RF也就没多少事情可作了
Antennatch Module，ASM
What I mean by SW, is the one can cortrol the Vramp signal.
So, may I think the SW is related with the Vramp ?
开关频谱测试
我在综测时发现很多手机在开关频谱测试时不同过，超出上限规定的10dB值。但返回到板测位重新校准后这样状态的大部分手机又能综测通过。所以能确定是板测工位出了问题。但目前我们的板测校准程序还没具备在手机Flash内做标识的功能，不知道是哪套系统出了问题。我该怎么办？请指教
和你的电源电压有很大的关系！整机测试时把电源电压拉低了。换一个带有sensor的电源应该就可以了！
电源失调和噪声能影响开关频谱，过低的Battery电压也会影响。66309D失调严重，在输出端加一个大电容，可能解决你的问题。2303无失调问题，如果现场有噪声，可加一个小电容。如果升高Battery电压能改善开关频谱，那你需要检查Sense的接法，一定要接近手机Battery端。
我们现在用的板测夹具没带屏蔽合,而且电源引出线是没有屏蔽环境的那种.所以我也同意问题是由于杂波对电源的干扰导致电源校准部分的不精确.我想对夹具安装滤波电容进行改善.但不知需装配什么规格型号的电容..这个规格值根据什么来确定.杂波的量具体有多大?怎么进行测量呢? 谢谢各位大侠的帮助.感激不尽!
不是因为环境杂波导入电源的影响，这部分的影响基本可以忽略。主要的电源本身的噪声影响。电容基本的选择是电解电容就可以，至于电容容量的选择要实际的调试。没有原则的数据。
请检查如下:
1、电源线是否过长，衰减得比较多，请在夹具的VBAT两端增加一个1000UF的电容。
2、夹具上的射频头是否接触不良，如果是接触不良，因测试的发射功率结果不同而写如FLSAH的ADC值也就不同，可能影响了PA的放大性能，导致开关频谱测试不过。
3、另外，你的天线匹配是否正常，如果匹配不正常在做FT时是有一定的影响的。
4、对于工作站不能对EEPROM写站号，我们可以人为的作标识来观测。
【文件名】:091230@52RD_开关谱.rar
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发表于 2009-12-30 10:44:16
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