MOS RDS并非是固定值,随导通电流增大而增大,PA burst峰值瞬间电流要到2A,而双MOS切换点在BATTERY之后,这样电池的蓄能作用就被隔离,导致通路电阻瞬间增大。
所以这个BUG还是满大的,目前只有用fairchild的micro-FET效果才能稍微好一点,但也不能完全保证没有掉电,这样我们不得不用提高关机电压来避免低压来电掉电的现象,这样电池使用率基本上在2倍电池容量的75%左右。
即使如此,在某些恶劣情况下,如主副电池电量都即将耗尽插入充电器又接听来电时候也是有机会偶而掉电。
另外,电池校准也变的误差增大,充电不是很准。
目前虽然有做到0.08 Ohm @ Isd=-3A的MOS-FET,双MOS串起来就是0。16,这也是spec的理想值,在很多情况下瞬间burst电流冲一下,Rds都要到0。5,而VDS一旦超过0.3V,那么就很不好了。试想一下我关机电压设定在3。2V,切换点必须要高于此,那么是3。3V,如果VDS要0。3V,那么后端实际供应BB的电压在VBAT3.6V的时候已经到危险边缘了,实际的电池电压可用幅度,一般只有4.2-3.6V而已。
我5年前已经撰文写过双电池,甚至VCHRG串二极管不加电池供应手机使其在下载模式工作的原理,都谈到这个弊端。
不过未来还可以有探索,需要MOS工艺到达一定阶段RDS做到非常小的时候,我也会承认这样的设计。
[此贴子已经被作者于2010-6-19 9:27:55编辑过] |