MIC 里的FET工作在什么状态？

seawaterblue · 发表于 2009-11-26 20:56:36

网上看了个“误老师谈MIC电路的偏置电阻”说工作在饱和状态，个人感觉不对啊，请大侠说说

kailiguo · 发表于 2009-11-27 10:33:17

不会吧，应该是为了不使FET工作在饱和状态

naruto1026 · 发表于 2009-11-27 17:04:59

偏置电阻应该是为了在使FET的静态工作点在中间，动态范围最大

lovelace · 发表于 2009-11-28 00:31:12

究竟是哪个区？？[em01]

leery666 · 发表于 2009-12-8 14:19:56

学习中，期待高手详细解答！！

suifeng789 · 发表于 2009-12-9 14:38:37

从MIC模型看，MIC SPEC上推荐电路是JFET工作在VGS=0的共源型放大电路，偏置电阻不能无限的大，必须保证VDS>0.8V，即使JFET工作在恒流区。

lovelace · 发表于 2009-12-28 16:49:50

应该是恒流区吧！[em01]

boyin757 · 发表于 2009-12-28 23:46:34

饱和区！！！

seawaterblue · 发表于 2010-2-5 20:28:32

恩，之前模电没学好，FET要有放大作用，要工作在饱和区，所以FET的放大区和饱和区是一个区域，在非饱和状态，RDS是非线性的，这点和NPN/PNP三极管是不同的，之前比较少涉及FET放大电路，比较容易混淆

rodman1002 · 发表于 2010-2-7 02:03:31

楼主说的非常对，肯定是工作在放大区，才能较好的压控流

wang4227 · 发表于 2010-3-29 11:15:42

以下是引用seawaterblue在2010-2-5 20:28:32的发言：
恩，之前模电没学好，FET要有放大作用，要工作在饱和区，所以FET的放大区和饱和区是一个区域，在非饱和状态，RDS是非线性的，这点和NPN/PNP三极管是不同的，之前比较少涉及FET放大电路，比较容易混淆

正解！

jemyc · 发表于 2010-4-28 18:45:01

对于JFET来讲，是工作在饱和区，不要跟BJT搞混了！！

yangmtk · 发表于 2012-2-2 19:28:04

FET的放大区和饱和区是一个区域
[em01]

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