仿真通过,急等高手进来分析下我的MOSFET为什么老是击穿?

musicfan

很郁闷一直是做射频的,突然做起模拟电路很不适应!不多说了,进入正题:原理图如下所示.

图中使用比较器输出控制MOSFET的Vgs的变化,从而控制MOSFET的开关! MOSFET使用的是IRFR5410,输入电压是48V,比较输出高电平是33V左右.低电平0V多

点,由于我做的只是一个实验板,所以比较器的供电不是采用输入48V的偏压电路供的,实验中用两DC直流电源分别供电,而图中的R7、R8分别变为20K、100K,好了现在出现的问题是

单独看MOSFET的开/关都是正常的,单独测比较器输出到三极管MMBT5551(即图中Q1)的集电极电压变化都是正常的! 用它去控制MOSFET的门级 电压时,MOSFET烧坏,有的Vgs被

击穿,电阻100多ohm,而有时全部击穿!由于本人第一次做模拟电路,一直分析不出来是哪里的出的问题,我得理解最有可能的是开启电源的瞬间,MMBT5551集电极引起MOSFET的Vgs

过压,由于还没掌握清楚原因,因此不敢用实验的方法的证实此问题!!!请高手指教!
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chenjianniu

mos管，就是开开关关的

musicfan

恩,不好意思楼上!没表述清楚我!  MOSFET在加48V是常开的! 然后前面是通过MCU控制比较器的输出来关闭MOSFET!!!
另外还有其他一些功能!早上经过仿真发现此电路在开启电源的瞬间,在MMBT5551的集电级有个33uS的44V的尖峰!
请高手请教!!!

wangjinrd

Q1即R10的電壓為多大?
48V*(10/11)=43.6V嗎?
我個人沒見過這個值由這麼大的
即使作為開關管也不要這麼大吧

steveniyang

R9,R10反了？