请教！充电PMOS管GS之间串接的电阻的作用

milan_kaka22 · 发表于 2009-11-4 17:15:01

在做leadcore A2000＋平台，充电电路PMOS管的GS之间串接了510欧的电阻，不知道这个电阻的作用是什么？因为MTK平台的充电电路里一般没有这个电阻的，请大侠指教！

电路图见附件<img src="attachments/dvbbs/2009-11/200911417145773499.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />

milan_kaka22 · 发表于 2009-11-6 11:53:38

晕，没人懂吗？

milan_kaka22 · 发表于 2009-11-9 14:21:56

[em01]...已经明白了。。

Gatedrive端是一个恒流源到GND，通过电流大小的改变来改变Vgs的大小，从而达到控制充电电流大小的目的。

TIM207 · 发表于 2009-11-10 11:12:04

呵呵。。。。。。。。。。。[em11]

Hegel · 发表于 2009-11-11 09:51:37

好多问题，只有碰到过的人才知道
所以楼主以后问问题，尽量描述的详细一些，只给个信号名称，没人知道你的电路怎么工作的。

rsdczw · 发表于 2010-1-7 09:51:51

不明白哦,楼主,说的详细点啦,,

fuheyang · 发表于 2010-1-7 20:48:24

迷迷糊糊的[em10]

xialu · 发表于 2010-1-9 11:25:23

按楼主的意思来看，GATEDRV应该是一个sink的电流源，G＆S串接电阻后，可将这个电流转化为VGS电压去控制MOSFET的导通程度，从而控制充电电流。
而MTK的方案中，GATEDRV的输出是电压，即电压控制型，这时候就不需要串电阻了，直接用MOSFET就可以了。
BTW：即然TD的方案中，GATEDRV是电流控制型，那么何必用电压控制型的MOSFET来做充电呢。直接用电流控制型的PNP三极管不是更方便吗？

xiamicao · 发表于 2010-1-18 10:39:29

三极管的导通压降太大

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