关于功放低温增益变大的问题

zeng0413 · 发表于 2009-9-17 23:04:13

各位前辈，对于功放低温增益变大，高温增益变小如何理解呢？是因为三极管放大倍数B为负温度参数吗？同时那个导通电压好像也是负温度参数啊，请高手解答，我很想很想进入射频领域，谢谢各位了

vcom2008 · 发表于 2009-9-18 13:23:42

应该是和管子的B参数相关的，B就是负温度系数参数

sunnu789 · 发表于 2009-9-20 03:30:03

不错,这两个是相反,看谁变化大.
有些器件这两个一致,所以增益变化更大.

yhy03261 · 发表于 2009-9-25 22:44:16

选用一些负温度系数的器件，在高低温进行补偿

vcom2008 · 发表于 2009-9-26 11:31:23

温控衰减器

happyren123 · 发表于 2009-9-26 22:20:11

放大器有小功率的和大功率的LDMOS管子设计，管子的材料基本都是硅半导体，而硅半导体在静态工作点，偏置电压或（栅极和漏极）条件下，温度变化都会产生温漂现象，实质是空穴随温度的变化而变化，温度越高空穴的温漂速度越快，就等效于管子的静态电流在随温度的变化，而表现出来的就是线性和gain会随温度的变化而变化；为了解决该问题，可以考虑使用温度补偿电阻来补偿增益或用模拟或用数字的压控衰减器来实现gain补偿，可以靠二极管或三极管的温度变化特性来对管子的栅极实现温度补偿，高温降低栅极电压的办法来补偿空穴温度漂移而引起的静态电流变化，通过补偿来尽量保持和常温静态一致，当然也可以通过单片机芯片控制来补偿。
可以解决温度变化问题。

yulu2007 · 发表于 2009-9-26 23:56:29

学习学习

avr-arale · 发表于 2009-9-27 12:03:51

一个小信号二极管可以较好的补偿LDMOS管温度变化带来的静态工作点飘逸

135wzw · 发表于 2009-11-3 22:00:04

温度高空穴速度快不就是电流变大那增益不是变高吗

ruiweiting · 发表于 2009-11-4 09:31:24

个人建议：可以实测下高低温GAIN的变化曲线，然后根据曲线做温补电路，温补电路可以用单片机做，也可以用温补二极管做，几个分压电阻+一个二极管差不多就可以补偿到位

miaoying_121 · 发表于 2009-11-4 09:48:40

学习了！

zeng0413 · 发表于 2009-11-6 21:58:30

还是没明白为什么放大器低温增益变大？

avr-arale · 发表于 2009-11-9 09:25:31

我们使用二极管进行补偿静态电流，根据我们的测试，能达到基本不变化的程度。
可是满功率下，功率输出还是会下降0.3-0.6dB，这个尚未找到补偿方法

zeng0413 · 发表于 2009-11-18 15:16:49

请问是在漏极用二极管控制压降？还是在栅极用二极管？谢谢

LPJ234 · 发表于 2009-11-19 09:27:46

学习了，最近正在看

lw2740 · 发表于 2010-7-6 22:13:15

学习，不错！

ronny2006 · 发表于 2010-7-6 23:27:04

正要做高低温呢！学习下~呵呵[em01]

applebad · 发表于 2010-7-7 15:53:58

栅极温补

tlcfybj · 发表于 2010-7-9 12:15:23

当偏置电流一定时，电子迁移率u和电子饱和迁移率usat决定着LDMOS的增益Gain、饱和功率Psat。u和usat都是随温度上升而降低的，因此低温下LDMOS所有的指标都会更好些。

chensy · 发表于 2010-7-12 18:07:06

主要是温度变化使得静态工作点飘移，所以补偿一定要补栅极啦。

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