菜鸟求教：射频PA的CMOS和GaAs是什么意思

heimao_lixin · 发表于 2009-8-18 18:07:00

射频PA有CMOS和GaAs的，这两者之间是工艺还是材料的差异？ CMOS比GaAS两者性能之间有什么差异？请达人指教，多谢。。。

lcYFL13 · 发表于 2009-8-18 19:58:00

同求！

xidian123 · 发表于 2009-8-18 20:50:00

材料。。。

tjhaua · 发表于 2009-8-19 15:45:00

CMOS跟GaAs完全是两种材料，目前由于GaAs的特性及其适合做PA，所以很多性能要优于CMOS，不过在小功率上，CMOS工艺可以跟主芯片集成在一块，

simit505 · 发表于 2009-8-21 11:21:00

GaAs电子迁移速率是传统SI的六倍，所以截止频率高适合作为PA，常见的PA多为InGaP材质。
但是CMOS工艺比较成熟，容易和transceiver集成在同一芯片内，但是前提是解决好大信号和小信号的隔离比较困难。
一般这种SOC带内杂散都比较高

limuran_2006 · 发表于 2009-8-21 15:25:00

5楼正解，主要是PA核的工艺材料不同，虽然CMOS有很大成本优势，但工艺技术还不够成熟，使用中还有很多问题。

heimao_lixin · 发表于 2009-9-2 16:25:00

学习了，多谢各位的讲解。

huanggh · 发表于 2009-9-3 09:50:00

学习了，Thanks!!!

Jin519 · 发表于 2009-9-6 12:38:00

路过学习一下

shajian · 发表于 2009-9-6 21:57:00

个人认为这就是目前为什么PA还不能集成到一个单芯片中的原因。

huanggh · 发表于 2009-9-7 09:55:00

CMOS PA的效率比GaAs PA的效率低，这是目前CMOS PA没有大量被采用的原因，
但是其功耗和成本有一定优势，这也是单芯片解决方案的唯一出路。

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