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[资料] 射频部分的测试项目、指标及调试方法

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发表于 2009-8-18 15:52:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
【文件名】:09818@52RD_射频部分的测试项目、指标及调试方法.doc
【格 式】:doc
【大 小】:33K
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发表于 2009-8-24 16:49:00 | 显示全部楼层
垃圾一个,2页要钱,强烈鄙视他[em11]
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发表于 2009-8-18 20:17:00 | 显示全部楼层
TMD,SB,就两页还拿来骗钱!
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发表于 2009-8-18 17:26:00 | 显示全部楼层
拿钱,走人!~[/COLOR]
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发表于 2009-8-25 16:10:00 | 显示全部楼层
买了的兄弟共享出来啊,2页就2个币,太不厚道啦
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发表于 2009-8-26 16:39:00 | 显示全部楼层
PHS 生产交接的内容提要(讲座部分)(注:测试线上的操作要点或内容提要遗漏处在本周完成后再形成书面报告)
一.射频部分收发信机的测试项目及指标
发射部分:
1)        载频频率、载频误差及飘移:
仅测量载频误差, 要求值为+/-3PPM
2)        调制精度(RMS及峰值矢量误差、幅度及相位误差,初始偏移):
调制精度仅测量RMS及峰值矢量误差,即EVM,要求值为6%---7%。幅度及相位误差在测试线上为提高测量速度不测,一般EVM符合要求,幅度及相位误差也差不多,其具体要求为,幅度误差,3%;相位误差,4DEG(度)。
3)        发射功率:
PEAK POWER 为10mW,标准为10mW
4)        发射功率之突发模板测试:
   在测试线上为提高测量速度不测,仅测发射功率即可。一般没有实际意义。但在R&D时,该项要测试。具体要求为,BURST POWER RAMP 要在TEMPLATE( 模板)之内。
5)        占用带宽(OBW):
   占用带宽平均为288KHZ。标准为300KHZ
6)        邻道泄漏功率ACP:
   +/-600K失谐:200nW以下(标准为800nW及以下)
+/-900K失谐:100nW以下(标准为250nW及以下)
7)        带内及带外的杂散辐射:
带内(IN BAND):30nW ----300 nW (标准为250nW及以下)
带外(OUT OF BAND):    (标准为2.5uW及以下)

8)        天线焊接及测试:
在CABLE 测试完毕,焊接RF 板上的RF CONNECTOR 至天线的传输线短接焊盘,并焊接天线或接上天线金属触片。采用感应方式测试,主要测试发射功率POWER LEVEL及调制精度EVM。
测试要求
接收部分:
1)        接收灵敏度或误码率测试:
灵敏度或误码率条件为:
TEST PATTERN: PN9
TESTED OBJECT: PS-TCH
在输入电平为15dBuV的前提下,BER 应小于或等于0.5%.
二.射频模块及基带的调试及较正方法
1)        调制精度、发射功率的微调:
H99: 调制精度的微调主要由SFR102(TRIMMER RES(可调电位器))来调整,但SFR102要与SFR101(TRIMMER RES)配合调整,因为在SFR101与SFR102的组合调整下方可调整到理想的调制精度及发射功率。调整方法为:先调整SFR102及SFR101,使POWER LEVEL为最大,这时调制精度及发射功率均可能超出正常值,往回调整SFR102,使调制精度的EVM值降低并接近正常工作点(8%左右),再回调SFR101,
直到调制精度及发射功率均达到要求。或:由SFR102开始,逐步来回微调SFR102及SFR101,直到调制精度及发射功率均达到要求。
H88H:调制精度的调整由测试平台自动完成,其过程为后台的PC通过PHS手机的串行口控制BBIC的PCON(控制电平),PCON的电平可调整RF MODULE 的RF OUTPUT LEVEL,同时后台的PC通过与之采用GPIB接口相连的MT8801C测量其动态调整下的RF OUTPUT LEVEL,使之达到要求。 同理,PC再通过PHS手机的串行口控制BBIC的 IQDACD的REF电压,使之为1.6V左右,该REF 电压对I、Q两路的输出特性有较大影响,以致于影响最终的调制精度。
H88M/L:调制精度的调整主要由5P的TRIMMER CAP(可调电容)来完成,该5P的TRIMMER CAP将调整第一中频248MHZ的通带特性(INSERT LOSS 及GROUP DELAY),使最终的调制精度达到要求。当然,该调整点也会稍微影响POWER LEVEL。而POWER LEVEL主要由SFR201(TRIMMER RES)来调整,可来回调整使POWER LEVEL 达到要求。
2)        温度传感器调试:
H99:无须温度传感器调试。
H88H:由于RF MODULE 中的PA 及TRANSCEIVER的功率增益及功率附加效率等特性与温度的变化呈一定的负相关特性,故须采取温度/增益控制曲线对POWER LEVEL 做一定的补偿。,其过程为RF MODULE 上的PTC 将温度传感器的模拟电压量送到BBIC 的一个A/D CONVERTOR,BBIC 则经PCON回馈一控制量对RF 的POWER LEVEL做一补偿。
由于PTC的温度传感器的离散性造成上述控制的个体差异,温度传感器调整将是必需的。温度传感器调整( 温度补正)则是将不同的PHS 手机的PTC温度传感器进行修正(主要调整其偏差量),其调整由测试平台自动完成( 测试平台中有一台与PC相连的标准热电偶温度传感器作为温度参照)。并将修正值存入FLASH MEMORARY(AT45DB041)
H88M/L:同H88H。不同的是,H88M/L的PTC SENSOR 是集成在IFIC中,采集及控制通道为数据口,传送量为十六进制数。
3)        RSSI调试:
   类似PTC温度传感器,不同的PHS 手机的接收通道也存在离散性,故在相同的外部场强下,不同的PHS 手机的RSSI 电平亦有差异,为修正偏差量,RSSI补正是必需的。
   修正由测试平台自动完成,以两点一线的原理采集两个点(LOW SIGNAL 及HIGH SIGNAL),同样将修正值存入FLASH MEMORARY(AT45DB041)。
   以上调整顺序为:
1)TEMPERATURE  ADJUSTMENT
2)        MODULATION ACCURACY AND POWER LEVEL
(注:H88H 则将IQDAC 放在上述两
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发表于 2010-8-3 01:07:00 | 显示全部楼层
貌似楼主rp很差!
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发表于 2010-8-8 12:06:00 | 显示全部楼层
[em04][em06][em05][em10]一、国家无线电监测中心测试项目[52RD.com]
二、泰尔实验室(MTNet专业试用部分)测试项目[52RD.com]
三、泰尔实验室测试项目(传输所)[52RD.com]
四、EMC测试项目
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发表于 2010-11-8 14:56:00 | 显示全部楼层
什么人都有嘿[em03][em03][em03][em03]
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发表于 2010-12-2 14:06:00 | 显示全部楼层
真的是两页?一页一大洋太狠了亟
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发表于 2010-12-8 20:15:00 | 显示全部楼层
bu hou dao le
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发表于 2011-2-15 18:11:00 | 显示全部楼层
才2也也能卖
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发表于 2011-6-1 22:58:00 | 显示全部楼层
楼主发挥下传统啊
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发表于 2011-7-20 09:00:00 | 显示全部楼层
楼主真狠
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发表于 2011-8-1 16:27:00 | 显示全部楼层
。。。黑人啊[em11]
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发表于 2011-8-25 16:21:00 | 显示全部楼层
外面真的很多,呵呵真贵
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发表于 2013-10-21 15:14:50 | 显示全部楼层
接收灵敏度
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发表于 2013-10-25 16:17:33 | 显示全部楼层
太黑了太狠了太让人不爽了
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发表于 2013-10-28 09:42:24 | 显示全部楼层
什么东西啊?
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发表于 2014-5-20 16:16:25 | 显示全部楼层
什么人都有嘿,xiexie!
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