求助：射频模型的共源放大仿真计算差很多？？

phenix-jf

大家好，
我现在在做混频器，但是计算结果和仿真结果差很多，尤其是电流
我用的是tsmc0.18工艺
我用一个简单的共源放大电路验证，用基带nch模型时候差距还小些，可是用射频模型nmos_rf模型时候，在vgs=0.55时候，region为饱和区2时候，电路按照饱和区电流计算公式只有15.6uA，可是仿真结果显示mos管电流为5.7mA
请问为什么啊？射频模型有什么需要注意的吗？
希望大家指点迷津啊哈[em01]