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[讨论] 当前各类LNA的器件有没有一定的应用范围?

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发表于 2009-5-10 14:57:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
我的题目说的不是很明确,还请大家原谅!因为找不到合适的表达。我现在把我的问题具体一下。

我总结LNA目前分为独立器件(BJT,FET,HBT,HEMT),还有MMIC(大多数内部集成的是pHEMT,E-pHEMT,已经做好偏置和匹配)。对于无线通信来说(不包括雷达等),这两大类LNA在用途上和应用场合上有没有区别?
比如独立器件的是不是在基站,直放站这类。而MMIC被用在终端上多一些?

问题可以归结为,1,到底有没有这样应用场合的规律。2,如果有这个规律,规律是什么?

另外以上列举的各种器件BJT,FET,HBT,HEMT,pHEMT,E-pHEMT,在应用频率,噪声系数,线性度等方面有什么不同?

我的问题比较繁杂,谢谢大家啦!
我也在自己找答案,如果能找到好的文章,也会在这里和大家交流的!
 楼主| 发表于 2009-5-12 16:33:10 | 显示全部楼层
目前我自己查到的一些结果,不知是不是正确?
1,HBT是异质结晶体管,意思是不单纯在一种介质上制作。比如在Si和Ge的介质上制作。其频率特性和线性度好于传统的Si介质的BJT(双极晶体管)。
2,HEMT是高电子迁移率晶体管,是FET的升级版。工作频率很高,线性度也比FET好。目前很多MMIC是集成的HEMT。

请大家指正,欢迎补充!
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发表于 2009-5-12 22:37:31 | 显示全部楼层
这个问题真的比较复杂,基本上把各个应用的频段都包含了

我觉得应该根据所使用的频段来区分比较好

还有就是个人觉得BJT快要被LDMOS取代了一样~~
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 楼主| 发表于 2009-5-13 19:27:30 | 显示全部楼层
谢谢kyang74,我也知道我的问题问的太宽泛了!
希望大家在这里讨论一下吧!
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发表于 2009-5-13 20:45:47 | 显示全部楼层
看功率 看频率 看带宽 你还是把问题细分一下才方便讨论
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发表于 2009-5-13 22:17:34 | 显示全部楼层
单独的LNA看应用场合了,PHEMT噪声性能好,一般用在超低噪声、高线性度的地方,比如基站直放站里。普通终端因为
成本的考虑,很少单独使用LNA,一般是集成在Transceiver,在这方面cmos工艺占了上风,因为成本低,容易集成,现在的noise也做得相当不错了。
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发表于 2010-11-11 09:58:41 | 显示全部楼层
学习了啊  [em01]
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发表于 2010-11-11 16:02:44 | 显示全部楼层
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发表于 2010-11-11 20:56:46 | 显示全部楼层
现在还有用你所说的独立器件的吗?
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