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我看文献Extremely low-noise amplification with cryogenic FETs and HFETs1970-2004时,
文献说phemt发展大概有三个阶段:
In the 1980s and 1990s, FET amplifiers were gradually replaced by HFET amplifiers of different generations.
The first generation used AlGaAs/GaAs HFETs,
the second generation used AlGaAs/InGaAs/GaAs HFETs,
and the third generation used AlInAs/InGaAs/InP HEFTs
然后我看avago官网介绍说
安华高科技 (Avago Technologies) 的 GaAs 晶体管是采用 PHEMT 工艺且具有反向偏压肖特基屏障门极的场效应晶体管,比如atf 54143。
这些器件结合了高线性和高功率附加效率 (PAE)、高增益和低噪声等特点。
那么现在很多人比如我 还是用第一阶段的phemt就足够应付平常的设计任务了?是我理解错了吗?
有没有人使用其他类型的phemt的经验呢?不妨说说看?
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