关于ＧａＮ功放的线性问题

fransesco · 发表于 2009-5-6 19:16:09

最近做800M的功放，用ＧａＮ的管子，Nitornex的，理论指标是1dB压缩点43，3dB压缩点45. 我的测试结果是1dB42，3dB44，从33推到42只压缩了1dB，但是在这个过程中，非线性急剧恶化，16QAM的峰肩比急剧降低（输出33dBm的时候ACPR大于38，输出42的时候ACPR只有23！），EVM也恶化的很厉害，请教下功放达人，这是不是ＧａＮ管子的特性？还是我设计有问题？大家有没用遇到过这种情况？

sunnu789 · 发表于 2009-5-7 02:50:30

不是设计有问题.
问题不是P1dB(42dBm) ACPR -23dB, 这数据是合理的, 问题是GAN回退线性非常差. 一方面因为GAN偏置偏低(所以效率较好,但是ACPR回退有凸起),另一方面GAN本身ACPR就比较差,没有DPD几乎不能用. EVM有时勉强还可以.

fransesco · 发表于 2009-5-7 12:29:42

楼上说的有理。。。GAN甚至在小信号的时候也会出现压缩，ACPR会变差，看来这种管子要用在16QAM，OFDM上还是有问题。。。

blueking · 发表于 2009-5-8 12:18:07

【文件名】:0958@52RD_CGH27015.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:1593K
【简　介】:CREE 公司的GaN产品
【目　录】:

这两款产品是针对WIMAX推出的.但是没有做内匹配,已经有人用在800MHz这个频段.有兴趣的话可以联系我,我发ADS大信号模型给你们做仿真看看我的QQ:896275461 请注明 52RD验证

fransesco · 发表于 2009-5-8 16:25:03

差不多，基本都需要1dB的时候回退7dB才能用。。。

lilianjie · 发表于 2009-9-19 10:37:28

很好，不错啊，谢谢你的资料

海大指南针 · 发表于 2009-9-19 22:10:45

以下是引用sunnu789在2009-5-7 2:50:30的发言：
不是设计有问题.
问题不是P1dB(42dBm) ACPR -23dB, 这数据是合理的, 问题是GAN回退线性非常差. 一方面因为GAN偏置偏低(所以效率较好,但是ACPR回退有凸起),另一方面GAN本身ACPR就比较差,没有DPD几乎不能用. EVM有时勉强还可以.

学习了。

sunnu789 · 发表于 2009-9-20 01:27:14

互相学习.挺喜欢52RD,尤其是" 射频微波研发讨论区".除了长见识下资料,技术讨论还挺多,还没什么限制.只是打字太慢,不太愿意多发帖.

frmsega · 发表于 2009-9-20 08:27:39

GAN的管子好象没用过。。一直用LDCOMS[em13]。学习了

agan · 发表于 2009-9-26 10:54:34

学习，长见识了

happyren123 · 发表于 2009-9-26 22:41:02

GAN的管子是最近1年多吵得比较热的新产品管子，优点是：漏压可以比LDMOS大很多，效率很高；带宽很宽；稳定性好些；
缺点:目前价格是LDMOS的4倍，主要是因为内部衬底采用金来做的，所以太贵目前很少在产品上使用，线性差，将来的应用只能和DPD、前馈、预失真等线性化技术结合，才可以使用。

fengmo44 · 发表于 2009-9-27 13:15:01

以下是引用sunnu789在2009-5-7 2:50:30的发言：
不是设计有问题.
问题不是P1dB(42dBm) ACPR -23dB, 这数据是合理的, 问题是GAN回退线性非常差. 一方面因为GAN偏置偏低(所以效率较好,但是ACPR回退有凸起),另一方面GAN本身ACPR就比较差,没有DPD几乎不能用. EVM有时勉强还可以.

确实是经验比较丰富学习了

agan · 发表于 2009-9-29 16:29:39

恩，新东西要学习

blueking · 发表于 2010-4-12 10:58:32

【文件名】:10412@52RD_CGH09120F.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:1144K
【简　介】:
【目　录】:

mebal · 发表于 2010-4-14 20:12:17

我用过GaN的管子，估计是我不太了解，经验不多吧，感觉管子很难用，我又搞不到打信号X参数，没法仿真。。。我调试的结果跟楼主说的差不多。

blueking · 发表于 2010-4-15 11:00:40

以下是引用mebal在2010-4-14 20:12:17的发言：
我用过GaN的管子，估计是我不太了解，经验不多吧，感觉管子很难用，我又搞不到打信号X参数，没法仿真。。。我调试的结果跟楼主说的差不多。

你要的是ADS/MWO大信号模型还是S参数？

blueking · 发表于 2010-4-15 11:54:56

汗。。我奥特了。。。。
http://www.home.agilent.com/agilent/product.jspx?cc=CN&lc=chi&ckey=1381958&nid=-35211.775208.00&id=1381958
安捷伦非线性矢量网络分析仪（NVNA）和 X 参数技术荣膺:

《Electronic Products》杂志 2008 年最佳产品奖。
《Microwaves and RF》杂志 2008 年最佳产品奖。
同时安捷伦非线性矢量网络分析仪（NVNA）也入围今年的 EDN创新奖。

用于分析有源器件的非线性行为的突破性技术

非线性矢量网络分析仪（NVNA）具有业界领先的性能、精度和可配置性，可以简化测试设置，对非线性元器件设计进行详细地深入分析。配有 NVNA 的 N5242A 可以精确测量和显示被测件的非线性行为，帮助您确定元器件、模块和系统的最佳设计。

按照美国国家科学与技术研究所（NIST）的标准对整个器件的幅度和相位进行测量
10 MHz 至 26.5 GHz 矢量校正带宽，用于捕获被测件的电压和电流的时域波形
使用 X 参数（用于非线性测量的最新 S 参数）对元器件行为进行全新的深入分析
使用安捷伦先进设计系统（ADS）中的 X 参数进行快速、精确的非线性仿真和设计
在标准配置、功能强大的 PNA-X 的基础上添加了非线性特性和功能
在所有负载条件下通过 X 参数捕获完整的非线性元器件行为
使用真实的非线性数据将设计周期缩短 50%
[em10][em10]

blueking · 发表于 2010-4-15 11:56:58

我是CREE的代理商，一般我的客户要求ADS/MWO大信号模型就好了。偶尔有客户问source and load pull impedances[em11]

qingchu123 · 发表于 2010-5-11 13:54:15

学习了…………

cgt4 · 发表于 2010-5-24 00:34:12

以下是引用blueking在2010-4-15 11:56:58的发言：
我是CREE的代理商，一般我的客户要求ADS/MWO大信号模型就好了。偶尔有客户问source and load pull impedances[em11]

需要用到CREE的器件，怎么联系

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