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[讨论] (求助)GaAs射频开关的静电损伤问题

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发表于 2009-4-29 19:22:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
GaAs射频开关是不是比较容易静电损伤,或在通道中出现静电的积累情况下是不是会使其开关状态出错,而影响其端口阻抗,造成射频信号通过射频开关插损变大(一般GaAs开关在DC~0.5G下插损在0.5dB以内,但是实际测试时有7、8dB),同时,在试验中发现当把该射频开关拆下,或拆掉其外围的耦合电容后,开关的工作就恢复正常了,很棘手!不知道各位射频设计的同仁们在实际的设计试验中有没有碰到这种情况?
发表于 2016-8-25 13:40:17 | 显示全部楼层
这个问题有点难
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