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[讨论] MIC基础知识简介(一)

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发表于 2009-3-18 10:36:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
一、传声器的定义::
    传声器是一个声-电转换器件(也可以称为换能器或传感器),是和喇叭正好相反的一个器件(电→声)。是声音设备的两个终端,传声器是输入,喇叭是输出。
    传声器又名麦克风,话筒,咪头,咪胆等。

二、传声器的分类:
    1、从工作原理上分:
    炭精粒式
    电磁式
    电容式
    驻极体电容式(以下介绍以驻极体式为主)
    压电晶体式,压电陶瓷式
    二氧化硅式等
    2、从尺寸大小分,驻极体式又可分为若干种.
    Φ9.7系列产品  Φ8系列产品   Φ6系列产品   
    Φ4.5系列产品  Φ4系列产品   Φ3系列产品
    每个系列中又有不同的高度
    3、从传声器的方向性,可分为全向,单向,双向(又称为消噪式)
    4、从极化方式上分,振膜式,背极式,前极式
    从结构上分又可以分为栅极点焊式,栅极压接式,极环连接式等
    5、从对外连接方式分
    普通焊点式:L型
    带PIN脚式:P型
    同心圆式:  S型

三、驻极体传声器的结构
    以全向MIC,振膜式极环连接式为例







    1、防尘网:
    保护传声器,防止灰尘落到振膜上,防止外部物体刺破振膜,还有短时间的防水作用。
    2、外壳:
    整个传声器的支撑件,其它件封装在外壳之中,是传声器的接地点,还可以起到电磁屏蔽的作用。
    3、振膜:是一个声-电转换的主要零件,是一个绷紧的特氟窿塑料薄膜粘在一个金属薄圆环上,薄膜与金属环接触的一面镀有一层很薄的金属层,薄膜可以充有电荷,也是组成一个可变电容的一个电极板,而且是可以振动的极板。
    4、垫片:
    支撑电容两极板之间的距离,留有间隙,为振膜振动提供一个空间,从而改变电容量。
    5、极板:
    电容的另一个电极,并且连接到了FET的G极上。
    6、极环:
    连接极板与FET的G极,并且起到支撑作用。
    7、腔体:
    固定极板和极环,从而防止极板和极环对外壳短路(FET的S,G极短路)。
    8、PCB组件:
    装有FET,电容等器件,同时也起到固定其它件的作用。
    9、PIN:有的传声器在PCB上带有PIN,可以通过PIN与其他PCB焊接在一起,起连接另外前极式,背极式在结构上也略有不同。

四、传声器的电原理图:







    FET(场效应管)MIC的主要器件,起到阻抗变换或放大的作用,
    C;是一个可以通过膜片震动而改变电容量的电容,声电转换的主要部件。
    C1,C2是为了防止射频干扰而设置的,可以分别对两个射频频段的干扰起到抑制作用。
    RL:负载电阻,它的大小决定灵敏度的高低。
    VS:工作电压,MIC提供工作电压
    :CO:隔直电容,信号输出端.

五、驻极体传声器的工作原理:   
    由静电学可知,对于平行板电容器,有如下的关系式:C=ε•S/L ……①即电容的容量与介质的介电常数成正比,与两个极板的面积成正比,与两个极板之间的距离成反比。
    另外,当一个电容器充有Q量的电荷,那麽电容器两个极板要形成一定的电压,有如下关系式:C=Q/V   ……②
    对于一个驻极体传声器,内部存在一个由振膜,垫片和极板组成的电容器,因为膜片上充有电荷,并且是一个塑料膜,因此当膜片受到声压强的作用,膜片要产生振动,从而改变了膜片与极板之间的距离,从而改变了电容器两个极板之间的距离,产生了一个Δd的变化,因此由公式①可知,必然要产生一个ΔC的变化,由公式②又知,由于ΔC的变化,充电电荷又是固定不变的,因此必然产生一个ΔV的变化。
这样初步完成了一个由声信号到电信号的转换。
    由于这个信号非常微弱,内阻非常高,不能直接使用,因此还要进行阻抗变换和放大。
    FET场效应管是一个电压控制元件,漏极的输出电流受源极与栅极电压的控制。
    由于电容器的两个极是接到FET的S极和G极的,因此相当于FET的S极与G极之间加了一个Δv的变化量,FET的漏极电流I就产生一个ΔID的变化量,因此这个电流的变化量就在电阻RL上产生一个ΔVD的变化量,这个电压的变化量就可以通过电容C0输出,这个电压的变化量是由声压引起的,因此整个传声器就完成了一个声电的转换过程。

六、传声器的主要技术指标:
    传声器的测试条件;MIC的使用应规定其工作电压和负载电阻,不同的使用条件,其灵敏度的大小有很大的影响
电压      电阻
    1、消耗电流:即传声器的工作电流
    主要是FET在VSG=0时的电流,根据FET的分档,可以做成不同工作电流的传声器。但是对于工作电压低、负载电阻大的情况下,对于工作电流就有严格的要求,由电原理图可知
VS=VSD+ID×RL       ID = (VS- VSD)/ RL
式中    ID  FET 在VSG等于零时的电流
        RL为负载电阻
        VSD,即FET的S与D之间的电压降
        VS为标准工作电压

总的要求        100μA〈IDS〈500μA

    2、灵敏度:单位声压强下所能产生电压大小的能力。
单位:V/Pa     或  dBV/Pa  有的公司使用是dBV/μBar
                    -40 dBV/Pa=-60dBV/μBar
0 dBV/Pa=1V/Pa
声压强Pa=1N/m2
    3、输出阻抗:基本相当于负载电阻RL(1-70%)之间。
    4、方向性及频响特性曲线:
    a、全向: MIC的灵敏度是在相同的距离下在任何方向上相等,全向MIC的结构是PCB上全部密封,因此,声压只有从MIC的音孔进入,因此是属于压强型传声器。
频率特性图:














    b、单向 单向MIC 具有方向性,如果MIC的音孔正对声源时为0度,那么在0度时灵敏度最高,180度时灵敏度最低,在全方位上呈心型图,单向MIC的结构与全向MIC不同,它是在PCB上开有一些孔,声音可以从音孔和PCB的开孔进入,而且MIC的内部还装有吸音材料,因此是介于压强和压差之间的MIC。
  频率特性图:














c、消噪型:是属于压差式MIC,它与单向MIC不同之处在于内部没有吸音材料,它的方向型图是一个8字型
  频率特性:














    5、频率范围:
    全向: 50~12000Hz     20~16000Hz
    单向:100~12000Hz    100~16000Hz
    消噪:100~10000Hz   
    6、最大声压级:是指MIC的失真在3%时的声压级,声压级定义:20μpa=0dBSPL
    MaxSPL为115dBSPLA     SPL声压级           A为A计权
    7、S/N信噪比:即MIC的灵敏度与在相同条件下传声器本身的噪声之比,详见产品手册,噪声主要是FET本身的噪声。
发表于 2010-2-4 12:00:06 | 显示全部楼层
GOOD TKS
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发表于 2010-2-6 10:42:44 | 显示全部楼层
把附件附上啊!这样!显示得比较全!
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发表于 2010-2-6 10:45:14 | 显示全部楼层
图没有显示!
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发表于 2010-3-27 11:59:31 | 显示全部楼层
studying , is googd
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发表于 2010-4-22 13:27:02 | 显示全部楼层
挺好的~ 怎么看不到图啊?[em13]
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发表于 2010-5-3 18:15:31 | 显示全部楼层
谢谢楼主分享。。。能附件上传就更好了。。。。。。。。。。。。[em05][em02]
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发表于 2010-5-18 12:28:12 | 显示全部楼层
看不到图哦
楼主
整理打包发一下吧,
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发表于 2010-6-5 11:14:31 | 显示全部楼层
Thanks you it is useful to me
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发表于 2010-6-27 22:09:52 | 显示全部楼层
看不到图哦
楼主
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发表于 2010-9-8 11:57:21 | 显示全部楼层
谢谢楼主  不过要是有图就更好了[em01]
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发表于 2010-11-7 01:14:27 | 显示全部楼层
谢谢分享
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发表于 2010-11-7 01:15:44 | 显示全部楼层
谢谢分享
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发表于 2010-11-7 01:16:35 | 显示全部楼层
谢谢分享
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发表于 2010-11-7 01:19:21 | 显示全部楼层
谢谢分享
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发表于 2010-11-10 14:04:32 | 显示全部楼层
谢谢分享
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发表于 2010-11-12 21:10:31 | 显示全部楼层
xie谢谢 分享
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发表于 2010-11-15 17:01:26 | 显示全部楼层
初步了解一下!
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发表于 2013-9-16 20:10:31 | 显示全部楼层
看不到图呀,最近也在研究咪头方面的东西....
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发表于 2014-1-14 14:18:16 | 显示全部楼层
看不到图呀,最近也在研究咪头方面的东西....
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