AFC校准过程的个人理解

lucystar · 发表于 2009-8-23 11:18:53

路过学习了[em08]

xwzts · 发表于 2009-9-19 15:04:44

[em01]

mybose · 发表于 2009-9-20 09:58:17

顶顶顶顶顶

r-snake · 发表于 2009-9-26 01:47:16

以下是引用letian在2009-3-18 11:55:28的发言：
这段楼主是引用我写的
/①TVCCXO AFC
AFC自动频率控制, 现在用的VC-TCXO 13/26M, 通信过程中目的是实时调整VC-TCXO 频率,使手机和基站频率保持一致,比如<0.1PPM.手机收发的频率基准都是VC-TCXO,所以目的也是VC-TCXO频偏<0.1PPM. VC-TCXO通过电压控制,一般是一个DAC数模输出控制VC-TCXO的调整电压,比如DAC12 BIT. 那输出范围是0-(2^12-1).
AFC校准的目的一是给一个初始的DAC值,另外是算出斜率也就是多少DAC 频率变化1HZ. HZ/DAC .初始的DAC值是开机后 AFC如果偏的太大就无法调整过来了. 斜率的目的是基带算出此时频偏多少,然后根据频偏调整DAC./

目前为止我用到的CDMA的一般是VC-TCXO. GSM的是DCXO. 因为做的GSM很少,也没接触过MTK平台,对于CAP ID是不是指的电容的值,因为一般的DCXO需要外置的电容到达需要的谐振频率,会用一个变容二极管来做,而通过电压来控制来改变变容二极管的容值.这个CAP ID 是不是指电容的值,哪位知道的说一下.另外初始的电容值一定要选好,否则怎么控都可能控不会来了.

VC-TCXO我比较熟,哪位有问题可以问我.
<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

CAP ID是电容值，是指的Crystal的负载电容

楼上说的通过电压改变来控制变容二极管，其实是讲的就是AFC信号控制晶体频点的基本原理

其实两者并不矛盾，可以晶体的怨力可以简单理解为一个LC震荡电路，而其中的C包含Crystal的内部负载带内容，与变容二极管的并联模式。

wxs9502 · 发表于 2009-11-10 01:40:10

好贴，学习了

w523701 · 发表于 2009-11-10 09:01:37

[em01][em08][em08]
学习！

kiang519 · 发表于 2009-11-10 18:31:18

留个记号

li402810 · 发表于 2009-11-11 14:22:18

记号[em06]

elvis_yan · 发表于 2009-11-12 15:46:10

写的不错，一般DAC参考设置要对应，以前遇到过设置2000，8000竟然slope偏大的现象

wanyun001 · 发表于 2009-11-18 13:53:44

真不忍心说什么

yaogaolei · 发表于 2009-11-20 11:35:20

呵呵，领教了。

zhangyaoru0404 · 发表于 2009-11-20 16:58:37

看了觉得不错，我顶。

TONGXIAO · 发表于 2009-11-22 16:40:44

学习学习

Super431 · 发表于 2009-11-22 23:18:47

good!!![em01][em01][em01][em01]

tuxiao8801 · 发表于 2009-12-11 21:49:05

谢谢谢谢谢谢

amen · 发表于 2009-12-12 15:49:15

AFC_DAC：9999.99 什么问题、

rfbeauty · 发表于 2009-12-13 11:26:49

CDMA和GSM校准是不是差不多的啊，哪位兄台解决下小弟的问题呢[em04]

ronaldo-99 · 发表于 2010-1-15 10:35:10

支持，谢谢了。[em01]

lishichaox · 发表于 2010-1-25 17:12:04

谢谢啊！来学习了！

zhaohhp2004 · 发表于 2010-2-12 14:52:13

高人啊！

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