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[讨论] 请问一个用MOS切换电源的电路

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发表于 2006-3-8 18:17:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
[upload=jpg]UploadFile/2006-3/0638@52RD_38.jpg[/upload]
请教各位这个电路是否可行?
目的是USB电源和外接电源切换,默认是从VDD45供电,当USB的USB_5V接近来后,
硬件切断VDD45这个路径,改由USB来供电。

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发表于 2006-3-8 21:23:00 | 显示全部楼层
可行的。
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发表于 2006-3-9 10:29:00 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>Cover</I>在2006-3-8 18:17:00的发言:</B>

仅供参考。

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发表于 2006-3-9 10:50:00 | 显示全部楼层
<P>线路不是很好:</P><P>   1 用N-Channel MOSFET开High side,存在潜在问题;正确用法是用P-Channel开Power</P><P>   2.没有输入电容,容易引起LDO的稳定性</P><P>   3 没有电源插入时以及开启Power时的inrush current的控制</P><P>   4.用IN4148要考虑到Forward current</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2006-3-9 16:31:00 | 显示全部楼层
<P>电路在一定条件下可行,USB供电时是可以的,问题是当VDD45供电时,N沟道的MOSFET栅极相对于源极如过没有足够高的驱动电压,MOSFET会工作在放大状态,两端的压降大于MOSFET开通电压VGS(th),在加上后面二极管的导通电压,后边LDO可能没有足够高的输入电压,说在一定条件下可行是指选用的MOSFET的开通阈值电压要小,输出电流不能太大。</P><P>最好是用P沟道MOSFET,栅极可以获得想对于源极足够低的低电平驱动电压,MOSFET会工作在饱和导通状态,两端的压降就是电流乘上导通电阻,可以选择合适导通电阻的MOSFET来达到足够小的压降。或者用P沟道的三极管可以同时去掉后面的2N5819,因为三极管没有寄生的二极管。</P><P>另外Yqingcat说的对LDO输入端最好加上电容。</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2006-5-18 00:22:00 | 显示全部楼层
<P>4 5 楼说的精辟</P>
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发表于 2006-8-1 11:45:00 | 显示全部楼层
大部分问题4-5楼已经说的很清楚,我说几个点:
1、NMOS开关状态有潜在危险,工作在放大状态时,负载可能达不到要求,所以4-5楼的用PMOS更合适,同时也可以省一颗三极管,仅用一个电阻网络可以解决问题。
2、整个电路效率比较低,两个LDO串接,整个电路的效率比较低,如果条件允许,看看能不能用DC-DC降压
3、电路功耗比较大,VDD33,VDD18电源指示二极管耗电比较大,NMOS压降比较大的情况下,对功耗的贡献也比较大。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2006-12-10 11:06:00 | 显示全部楼层
恩。了解不少哦[em01][em01][em01][em01]
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