求救ESD-LCM電容效應問題

khj · 发表于 2008-12-31 11:45:29

目前手机遇到一个问题打IO时(contact),
DUT正打可以到+-12KV Pass,
反打的+-2KV LCM就会发生问题.
试过包铜以及贴绝缘或贴绝缘再包铜箔等,皆无效(会增加到+-3KV,但不够).
之前有网友分享的经验应该是电容效应所导致的,
试过用一个铁片放置在手机lcm上面,正打铁片,LCM也会出问题.
看过之前的讨论,很多网友也遇过类似的问题,不过都没解法.
想请问一下,有什么方法可以去解决嘛？（换别家的LCM,也行不通)
非常感谢！！
[em03]

[此贴子已经被作者于2008-12-31 15:08:23编辑过]

john-deng · 发表于 2009-1-7 18:48:51

解决的方法就是破坏电容结构，在一面将静电堵死

happywzb · 发表于 2009-2-3 17:23:19

请问哪位能解释下什么是电容效应吗？
是不是只有LCM有此效应？
[em13]

chenhaixin · 发表于 2009-2-6 11:58:28

把LCM用导电布包好，然后把导电布良好接地。LCM有问题，手机还是可以的是吗？

khj · 发表于 2009-2-10 20:27:49

導電布試過了,只有LCM有問題,手機沒事.
目前以軟體方式解決.
不過還是歡迎提出看法,
想試看看可不可以不用軟體解.
謝謝！

seawaterblue · 发表于 2009-2-22 22:06:18

以下是引用khj在2009-2-10 20:27:49的发言：
導電布試過了,只有LCM有問題,手機沒事.
目前以軟體方式解決.
不過還是歡迎提出看法,
想試看看可不可以不用軟體解.
謝謝！

软体复位应该会黑屏吧？是怎么做的？

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