请问 幅射泄漏 问题.

yellowtoot

大家同志们好,

    最近遇到一个现象.

    一个RF发射单元在测试发射性能时(此时其输出RF口通过同轴线+衰减器到测试仪器), 其RF输出口尽管连接着同轴电缆,即有所谓的屏蔽作用的电缆,但还是向外辐射着能量.

    我是这么测的, 用一台频谱仪, 连个RF线, 加个探针,直接接触RF输出口的外导体(通常认为是地的), 此处幅射最强,大概为-30dBm (发射功率为36 dBm左右, 即同轴屏蔽只有66dB左右).

    这我还是理解的, 毕竟屏蔽有个限度, 但接下来的事,我就不明白了.

    我移动我的探头,当然是沿着同轴电缆,向远离RF输出口的方向移动, 这个泄漏能量逐渐降低, 直到-40dBm...

    在此请问大家, 这个能量是哪来的呢?

    如果是同轴线内的能量泄漏出来的, 应该沿线不会变化太大才对呀, 因为线内的能量不会变化太多, 毕竟同轴电缆的损耗没这么大啊.

    如果不是同轴线内泄漏出来的, 那难道是RF接口处出来的? 为何在这出来的能量最大呢?

    谢谢大家!

cjdeng

呵呵，寻找辐射最强点是不是就找到了？
大概会是RF接口处！[em14]

cjdeng

是不是同轴线接地不好呀？

yellowtoot

以下是引用cjdeng在2008-12-12 15:01:28的发言：
是不是同轴线接地不好呀？

我测量的就是所谓有地啊,同轴外导体就应该是地的,可是它带辐射了现在 :(

snowboy

或许是RF输出端口与同轴线接头的连接不紧密而造成较大辐射泄露吧

snowboy

同轴线缆有屏效指标，具体和频率有关，你可以去查看目前你得泄露值是否与屏效一致？

yellowtoot

以下是引用snowboy在2008-12-14 20:05:46的发言：
同轴线缆有屏效指标，具体和频率有关，你可以去查看目前你得泄露值是否与屏效一致？

感觉不是屏蔽不好造成的, 而是PA的输出处的地本来就带能量辐射的.

因为,大家都知道,地其实是回路, 即内导体有正向电流时,地提供反向电流,因此在地上必然会有电流存在,从而造成辐射.

关键是如何使地上这些表面电流如何尽量分布在导体内表面上.

不知大家有何意见和建议啊?

谢谢!

dxrcn

以下是引用snowboy在2008-12-14 20:03:46的发言：
或许是RF输出端口与同轴线接头的连接不紧密而造成较大辐射泄露吧

个人赞同这个可能性。
你可以尝试在连接处的外导体上刷上一层导电胶进行屏蔽，然后再测试一下泄漏情况。