关于FET开关电路开关时间的问题

PDCzeng · 发表于 2008-9-25 14:06:21

本人P-FET设计了一个电压输出开关电路，由于负载是LCD输入电压的上升时间不希望过快（5ms),周知FET的开启时间非常快ns想请教有没有什么方法可以把开关上升时间控制在ms左右。我只知道RC积分回路可以有这样的效果不过连接负载后在电阻上的损耗有太大会有压降，不知道LC滤波电路，有源滤波电路可不可以达到延缓上升时间的效果，或者加大栅极电阻不知道有没有用。

PDCzeng · 发表于 2008-9-26 10:41:44

经过向他人请教增大栅极的电阻Rg好像可以延缓上升时间

kafen · 发表于 2008-9-26 10:54:53

好象是减小栅极的电阻Rg好像可以延缓上升时间吧！

qinxiaojun · 发表于 2010-2-6 10:25:14

你可以将RC积分电路接在栅极试试

xiaying · 发表于 2010-2-8 15:20:28

以下是引用PDCzeng在2008-9-25 14:06:21的发言：
本人P-FET设计了一个电压输出开关电路，由于负载是LCD输入电压的上升时间不希望过快（5ms),周知FET的开启时间非常快ns想请教有没有什么方法可以把开关上升时间控制在ms左右。我只知道RC积分回路可以有这样的效果不过连接负载后在电阻上的损耗有太大会有压降，不知道LC滤波电路，有源滤波电路可不可以达到延缓上升时间的效果，或者加大栅极电阻不知道有没有用。

你做TV的吧？延缓上升时间是很简单的，增加MOS管的密勒平台时间久可以达到，
但是，请记住：这是一把双刃剑，由于密勒平台工作的时间是负温度系数，如果时间太长，很容易把MOS管给烧掉、

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有一个方法（Rg）