弱问：为什么BJT的速度要比MOSFET的快？

yangfan · 发表于 2008-9-23 16:29:21

课本上在比较双极集成电路与cmos集成电路时，就会提到双极集成电路的优点有：速度快，驱动能力强啊。上课的时候就只是记下来了，但是不知道为什么
驱动能力强是不是可以这样理解：在相同的条件下，三极管的跨导要比mos管的大，所以在相同的输入电压下，三极管的输出电流要大一些，也就是说驱动能力强一点。

playboy_fb · 发表于 2008-10-9 20:38:30

弱答：速度我不是很清楚，主要应该还是与半导体材料关系大一些。AsGa工艺应用频率比较高。

至于驱动能力的话，我看主要由管子结耐压能力决定。耐压高可能驱动能力就好一点。

以上均为个人看法，欢迎大侠指正。

wgrecall · 发表于 2008-10-20 09:23:43

这是由结构决定的，MOSFET Gate面积很大，寄生电容就比较大，所以开关速度比较慢，但是晶体管基区做的很薄，电容就很小，所以速度比较快。但我想可能是因为三极管导通时候还有饱和压降，这点可能不太好，而且静态时候功耗比较大

chaojixin · 发表于 2008-12-9 10:34:04

貌似bjt可以两种多子共同作用结果，mos一种管只有一种多子起作用的。随便找本工艺的书应该有讲

mohoo · 发表于 2008-12-16 09:21:09

这个有问题吧？单个的BJT和MOS的速度就不是一个档次上的，实际上还是MOS块的

wgrecall · 发表于 2008-12-16 13:06:17

BJT快，但是功耗高，ttl 比NMOS快，NMOS比CMOS快，具体可看VSLI设计的书（科学出版社）

ahwei · 发表于 2008-12-22 14:35:08

以下是引用yangfan在2008-9-23 16:29:21的发言：
课本上在比较双极集成电路与cmos集成电路时，就会提到双极集成电路的优点有：速度快，驱动能力强啊。上课的时候就只是记下来了，但是不知道为什么
驱动能力强是不是可以这样理解：在相同的条件下，三极管的跨导要比mos管的大，所以在相同的输入电压下，三极管的输出电流要大一些，也就是说驱动能力强一点。

驱动能力强是指输出阻抗低吧

chenxiaoming · 发表于 2009-1-2 07:30:25

驱动能力强的问题楼主的理解是正确的;速度快主要是BJT的寄生电容比MOSFET小

279418980 · 发表于 2009-1-10 23:28:31

以下是引用chenxiaoming在2009-1-2 7:30:25的发言：
驱动能力强的问题楼主的理解是正确的;速度快主要是BJT的寄生电容比MOSFET小

相同级别的条件下，开关速度我记得是MOSFET比BJT要快
至于驱动能力的定义，是输出电流的大小

最简单的理解，MOS管有着固定的最大工作电流，当负载过大，导致负载电流超过其驱动电流，
这样负载的电压就被拉下来，这就叫着驱动不够

wgrecall · 发表于 2010-1-15 10:18:04

但是现在在开关电源中用MOS做开关比用三极管多哦

以下是引用dodolong1在2010-1-14 17:05:45的发言：
主要是受迁移率的影响。以NPN管和NMOS为例，BJT中的迁移率是体迁移率，大约为1350cm2/vs。NMOS中是半导体表面迁移率，大约在400-600cm2/vs。所以BJT的跨导要高于MOS的，速度快于MOS。这也是NPN（NMOS）比PNP（PMOS）快的原因。

rainlym · 发表于 2010-1-28 16:10:05

还是比较赞同迁移率影响的说法

xiaoshao · 发表于 2010-2-8 13:36:50

这是因为迁移率决定的吧

leondey · 发表于 2010-4-6 15:20:51

以下是引用wgrecall在2010-1-15 10:18:04的发言：
但是现在在开关电源中用MOS做开关比用三极管多哦

。

那不是因为MOS的速度快,而是因为MOS做开关器件时驱动功耗低(驱动电流小).

wgrecall · 发表于 2010-4-7 11:34:59

以下是引用leondey在2010-4-6 15:20:51的发言：

那不是因为MOS的速度快,而是因为MOS做开关器件时驱动功耗低(驱动电流小).

而且还因为MOS的导通损耗要比BJT低吧

mattmei · 发表于 2010-9-6 17:00:47

mosfet功耗小点，现在普遍使用MOS作开关用。

qerqing · 发表于 2010-11-23 15:46:05

BJT的截止频率与基区宽度W的平方成反比，MOS管的截止频率与沟道长度L的平方成反比,早期的工艺基区宽度W一般可以做的很小，所以其截止频率要较高，现在随着CMOS工艺尺寸的不断减小，这个差距正在被缩小

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