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[讨论] 内存深入剖析,不是专业人事请勿下

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发表于 2008-7-24 19:08:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
1.芯片启动(Chip Enable, CE#):如果没有检测到CE信号,那么,NAND器件就保持待机模式,不对任何控制信号作出响应。
2.写使能(Write Enable, WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。
3.读使能(Read Enable, RE#): RE#允许输出数据缓冲器。
4.指令锁存使能(Command Latch Enable, CLE): 当CLE为高时,在WE#信号的上升沿,指令被锁存到NAND指令寄存器中。
5.地址锁存使能(Address Latch Enable, ALE):当ALE为高时,在WE#信号的上升沿,地址被锁存到NAND地址寄存器中。
6.就绪/忙(Ready/Busy, R/B#):如果NAND器件忙,R/B#信号将变低。该信号是漏极开路,需要采用上拉电阻。


【文件名】:08724@52RD_闪存深入剖析.rar
【格 式】:rar
【大 小】:511K
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发表于 2008-8-5 00:43:08 | 显示全部楼层
你这都剖析什么了阿,这些简直是管教定义,晕倒!
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发表于 2008-8-15 19:53:23 | 显示全部楼层
能大概介绍一下内容么?
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发表于 2008-8-16 12:18:07 | 显示全部楼层
还好没有买
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发表于 2008-11-16 12:58:12 | 显示全部楼层
呵呵,说得还是不错的,大家不想出RD币我给上传到免费的地方了,大家可以来这下哈哈

http://bbs.armeasy.com/viewthread.php?tid=129&extra=page%3D1&frombbs=1
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发表于 2009-11-19 22:27:44 | 显示全部楼层
资料一般般
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发表于 2009-12-1 16:37:54 | 显示全部楼层
期待免费!!!
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发表于 2010-1-25 18:38:42 | 显示全部楼层
tai gui le
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发表于 2010-2-2 19:48:41 | 显示全部楼层
非资深人士,看不懂1
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发表于 2010-2-2 22:25:09 | 显示全部楼层
期待免费ing
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发表于 2010-2-4 03:13:39 | 显示全部楼层
这种东西有什么可深入剖析的?除非你是说芯片咋做。
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发表于 2010-2-4 19:42:10 | 显示全部楼层
好贵~~~~~~~~~~
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发表于 2010-2-21 14:22:08 | 显示全部楼层
xiexiele!
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发表于 2010-2-23 16:23:20 | 显示全部楼层
剖析撒啊 ,买芯片连上用就好了!
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发表于 2014-9-17 17:46:47 | 显示全部楼层
这种东西有什么可深入剖析的?
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