Nor-FLASH和NAND-FLASH有什么区别，为什么Nor比NAND要贵？？？

3hyuer · 发表于 2005-8-25 08:40:00

谢谢。

clown · 发表于 2005-8-25 09:45:00

<PRE 21pt; LINE-HEIGHT: 170%; mso-char-indent-count: 2.0">Nor Flash属于Code Flash类型，用于储存系统程序代码及小量资料, Nand Flash属于Data Flash类型，用于储存大量数据.</PRE>

clown · 发表于 2005-8-25 09:48:00

<PRE 21pt; LINE-HEIGHT: 170%; mso-char-indent-count: 2.0">NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash中运行，不必再把</PRE><PRE 21pt; LINE-HEIGHT: 170%; mso-char-indent-count: 2.0">代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和</PRE><PRE 21pt; LINE-HEIGHT: 170%; mso-char-indent-count: 2.0">擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的</PRE><PRE 21pt; LINE-HEIGHT: 170%; mso-char-indent-count: 2.0">速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。</PRE>[br]+3 RD币

Angelkill · 发表于 2005-9-2 16:40:00

NOR的特点是可在芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应该程序可以直接在flash内存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，但写入和探险速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度，并且写入和擦除的速度也很快，是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同步如下：NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的擦除速度远比NOR快。NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路也更加简单。NAND闪存中每个块的最大擦写次数量否万次，而NOR的擦写次数是十万次。此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多。NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码。而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND Flash都有支持，如风河（拥有VxWorks系统）、微软（拥有WinCE系统）等公司都采用了TrueFFS驱动，此外，Linux内核也提供了对NAND Flash的支持或非（NOR）结构的Flash具有高速的随机存取功能，但成本较高；新的UltraNAND结构的Flash相对于NOR结构的Flash，具有价格低，容量特别大的优势，支持对存储器高速地连续存取。谝芯片工作电压范围在2.7～3.6V，特别适用于需要批量存储大量代码或数据的语音、图形、图像处理场合，在便携式移动存储和移动多媒体系统中应用前景广阔。

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cecil · 发表于 2005-9-2 19:17:00

NAND闪存中每个块的最大擦写次数量百万次嘿嘿....斗胆修改一哈[em01][br]+3 RD币

babybird · 发表于 2005-10-5 12:28:00

nor flash可以像ram一样按地址访问，地址线与数据分开，完全可以任意寻址。nand flash　没有单独的并行地址线，访问时，命令与地址都采用数据线传送，配有命令锁存与地址锁的ＰＩＮ脚。而且nand flash工艺上存在坏区，出厂需要mark。norflash不允许有坏区。nandflash不能直接用于程序存储器.[br]+5 RD币

paul2006 · 发表于 2005-10-5 12:43:00

<DIV class=quote>以下是引用Angelkill在2005-9-2 16:40:59的发言：
NOR的特点是可在芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应该程序可以直接在flash内存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，但写入和探险速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度，并且写入和擦除的速度也很快，是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同步如下：NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的擦除速度远比NOR快。NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路也更加简单。NAND闪存中每个块的最大擦写次数量否万次，而NOR的擦写次数是十万次。此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多。NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码。而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND Flash都有支持，如风河（拥有VxWorks系统）、微软（拥有WinCE系统）等公司都采用了TrueFFS驱动，此外，Linux内核也提供了对NAND Flash的支持或非（NOR）结构的Flash具有高速的随机存取功能，但成本较高；新的UltraNAND结构的Flash相对于NOR结构的Flash，具有价格低，容量特别大的优势，支持对存储器高速地连续存取。谝芯片工作电压范围在2.7～3.6V，特别适用于需要批量存储大量代码或数据的语音、图形、图像处理场合，在便携式移动存储和移动多媒体系统中应用前景广阔。

+分 RD币</DIV>

有一点请教一下：NOR FLASH可以在芯片内部运行，是否可以因此我们就可以省去RAM？我问这个问题的疑虑是现在流行很多二合一的memory芯片，往往是兼有RAM 和 NOR FALASH。[br]+3 RD币

paul2006 · 发表于 2005-10-5 12:46:00

另外NOR FALASH 比 NAND FALASH 贵的一个主要问题是因为NOR FALASH 的制作工艺比NAND FALASH 复杂的多[br]+3 RD币

babybird · 发表于 2005-10-5 20:56:00

<DIV class=quote>以下是引用paul2006在2005-10-5 12:43:14的发言：

有一点请教一下：NOR FLASH可以在芯片内部运行，是否可以因此我们就可以省去RAM？我问这个问题的疑虑是现在流行很多二合一的memory芯片，往往是兼有RAM 和 NOR FALASH。</DIV>

ram跟flash的还是很大区别的，是二合一做在一起而已。但ram就是ram，flash就是flash，ram断电丢失，没有擦写次数限制，而flash可以记忆数据，有擦写次数限制。它用来存code代码与一些配置信息。[br]+5 RD币

paul2006 · 发表于 2005-10-5 21:10:00

babybird:我的意思可能不是很明白，我的意思是NOR FALASH既然不仅可以记忆数据而且可以运行程序，为什么要在做个二合一，不如单独搞个大一点的NOR FALASH，一部分用来存程序，一部分用来用来运行程序。而且我们公司采用的二合一MEMORY程序即在RAM中运行也在FALASH中运行。所以有些搞不明白，程序在两种中运行具体有什么差别。谦虚请教[br]+5 RD币

babybird · 发表于 2005-10-6 01:08:00

<DIV class=quote>以下是引用paul2006在2005-10-5 21:10:55的发言：

babybird:我的意思可能不是很明白，我的意思是NOR FALASH既然不仅可以记忆数据而且可以运行程序，为什么要在做个二合一，不如单独搞个大一点的NOR FALASH，一部分用来存程序，一部分用来用来运行程序。而且我们公司采用的二合一MEMORY程序即在RAM中运行也在FALASH中运行。所以有些搞不明白，程序在两种中运行具体有什么差别。
谦虚请教</DIV>

按你的说法，理论上找一个大一点儿的norflash也应该可以，但事实上是不行的。对于任何一个操作系统都要有一个存储操作系统程序的空间，小型系统中一般都存在norflash中，程序执行时中间要用到一些临时变量，一些临时的缓存数据，还有一些相应的堆栈信息。这些变量与数据就要存在RAM中。理论上这些数据存在norflash中也是可以的，但这些变量是要频繁读写的，flash的擦写是有次数的（一般几万次到几百万次），对于一个高速的CPU像操作变量一样擦写flash，估计很快就挂了。而且它的速度比起RAM来也差得多，况且这些变量并不需要永久保存，可以掉丢失。一般CPU内部都会有一小块的RAM，被称之为cache（高速缓存），常用的变量会放在这里来处理，大量的缓冲数据会放在外面的（二合一）的ＲＡＭ中，这样会提高系统的速度。
我们常用ＰＣ跟这种方式不太一致，ＰＣ是将硬盘中存储的程序先读到RAM(内存中)，然后在ＲＡＭ中来运行它。而不像我们手机可以直接在norflash中寻址来执行程序。ndflash不能像norflash一样执行程序也是因为它没有地址线，每个字节空间没有一个独立的地址。如果非用它作为程序存储器的话，也不是不可以，一种方法是中间加一个过度接口；另一种方法也是像硬盘那样，可以将程序读入内存中执行。[br]+5 RD币

flyman135 · 发表于 2005-10-6 14:20:00

看看我的贴，这个问题我发过免费资料的 NOR /NAND FLASH USE （常用资料）<a href="http://www.52rd.com/bbs/viewthread.php?tid=1321" target="_blank" >http://www.52rd.com/bbs/viewthread.php?tid=1321</A>

simon · 发表于 2005-10-14 00:22:00

今天刚注册，前面登陆写了好多未想过12点，结果都没了，可看斑竹帮忙加了好几个5分，重新写下吧呵呵我刚工作也对这nor和nand搞得迷糊其实所谓nor和nand是基于不同的制造技术，按字面，nor是与非门，nand是或非门，就是做IC时最小的逻辑单元。就好像我们说cmos器件就是因为它内部是以一个pmos加一个nmos构成的cmos为基本单元搭起来一个道理。而在执行code方面，如果不能理解的话，就这样记，nor和nand在这方面的区别就好像听歌时CD和磁带的区别！CD可以随意选从哪首开始，而磁带就做不到这点。而在应用方面的区别，多做自然就有感觉了，nor就放程式，而nand因为便宜容易做得容量大，经常存资料。包括mp3,u盘都是用nand的。最后说下11楼所说的2种变通方法。1是在CPU的memory总线上（就是本该接nor的地址，数据和oe，wr等控制信号）接上一个转换电路，负责将memory interface转成nand的接口，这样在后面再接上nand，cpu还是可以寻址了。这样的技术叫DOC。M-System是这其中做的比较好的一家。接口电路和nand已经做在一起了，而令人惊讶的是这样封装在一起的东西几乎和同样容量的nand一个价，自然比相同容量的nor要少好多钱了。2就是再加上一个比较大的sdram，上电后cpu先执行固化在cpu里面的一段code，bootloader，这段code负责将nand里面的程序搬到sdram里面去执行。[br]+5 RD币

jiangsirnj · 发表于 2005-10-18 12:51:00

flash结合ROM与RAM的特点， nor FlASH比nand FLASH应用在更多的场合上

飘落杭州 · 发表于 2005-10-19 16:39:00

Nor 和Nand的flash最本质的区别就是在实现存储的时候（做过芯片设计的老兄比较清楚），一个是与或的形式，而一种是与非的形式。Nor一般用来存储程序，不太容易丢数据，Nand一般来存数据，有时会丢数据的，速度要快点[br]+3 RD币

飘落杭州 · 发表于 2005-10-19 16:44:00

Ram 和flash是不一样的，Ram就像我们计算机里的内存，处理速度比较快，但是掉电会丢数据，这也就是为什么我们的电脑进入睡眠的时候要保存个人设置，而flash就像硬盘，擦写次数有限制，在10万次左右，就像我们的硬盘一样，这两个不能相互替代的。现在的手机有一套比较完善的管理制度，尽量减小对flash的擦写，所以有些手机在设置完毕后（如墙纸），如果没有正常关机，而是直接拔电池，待开机后恢复到原先的设置的原因。[br]+3 RD币

sunbiao2365 · 发表于 2005-11-9 18:45:00

NAND和NOR flash的区别NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统
天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口
轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
　　相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因
为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
　　NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要
特殊的系统接口。性能比较：
　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元
内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前
先要将目标块内所有的位都写为0。——擦除操作简单，擦除时间少！
　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进
行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，
更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。——
　　● NAND的写入速度比NOR快很多。
　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。接口差别
　　NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
　　NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。容量和成本
　　NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就
相应地降低了价格。
　　NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存
储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。可靠性和耐用性
　　采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命
(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
　　寿命(耐用性)
　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型
的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
　　位交换
　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转
了。
　　一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次
就可能解决了。
　　当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建
议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。
　　这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，
必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
　　坏块处理
　　NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
　　NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项
处理，将导致高故障率。 易于使用
　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
　　由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
　　在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏
块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。软件支持
　　当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
　　在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD
)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
　　使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱
动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
　　驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。[em01][em01][em01][em01][em01][br]+5 RD币

nemoium · 发表于 2005-11-20 15:40:00

好帖，顶一个，。新来的，大家多多关照

vonyoven · 发表于 2010-1-21 20:30:00

打算的撒旦

cylbailey · 发表于 2010-1-26 17:08:00

根本原因是NOR结构需要比nand多的多的金属层连接过孔, 在版图layout的相当占地方.

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[讨论] Nor-FLASH和NAND-FLASH有什么区别，为什么Nor比NAND要贵？？？

Nor-FLASH和NAND-FLASH有什么区别，为什么Nor比NAND要贵？？？