发射功率与传导杂散的关系是成正比吗?

phoenix100

本人感觉功率越大,干扰也就越大

rocki

不是正比，应该说是正相关才对

mnmark

我觉得首先是功率提高，在相同PA工作状态时，二次谐波也按系数增加。另外功率达到饱和，PA的工作状态也不一样了，也可能产生更多的杂散

president

2楼的见解一针见血啊！

criterion

<B>以下是引用<i>rocki</i>在2008-1-29 19:50:42的发言：</B>
不是正比，应该说是正相关才对

假设讯号如下 :
<img src="attachments/dvbbs/2013-7/2013721101381800.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />


带入非线性模型   得出以下
<img src="attachments/dvbbs/2013-7/2013721102761165.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />


可以看出  Harmonics跟主频的振幅有关
主频Power降低  当然有助于Harmonics的改善

所以记得要做高压补偿
因为测RSE时   会插USB   充电模式下去测
这时手机的电压   会一直维持在高压4.2V
有可能RSE会Fail
若做高压补偿   使高压的Power  跟常压3.8V一样
那当然有助于RSE的改善